一种基于非晶氧化钇/氧化铪双层结构的数字型忆阻器及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411279026.4

申请日：

2024-09-12

公开(公告)号：

CN119136651A

公开(公告)日：

2024-12-13

发明(设计)人：

王红军王永庆杨淑宁朱媛媛周静

申请人：

陕西科技大学

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央区大学园

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20 H10B63/00

代理机构：

北京中巡通大知识产权代理有限公司 11703

代理人：

郭瑶

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20240912
2024-12-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种钇掺杂氧化铪忆阻器及其制备方法 [P].

朱媛媛 ;

李志豪 ;

吴春扬 ;

王红军 ;

罗道斌 ;

王有庆 ;

杨淑宁 ;

周静 .

中国专利 :CN120435218A ,2025-08-05

[2]

一种非晶氧化钨薄膜模拟型阻变忆阻器及制备方法和应用 [P].

王红军 ;

张苗 ;

朱媛媛 ;

张云飞 ;

王鑫 ;

周静 .

中国专利 :CN119789774A ,2025-04-08

[3]

一种掺钇氧化铪和氧化钒异质光忆阻材料结构的制备方法 [P].

牛临魁 ;

陈志民 ;

刘浩彬 ;

朱昊 ;

陈鑫 ;

黄田田 ;

杨万丽 .

中国专利 :CN117881272A ,2024-04-12

[4]

一种球形氧化钇及其制备方法和应用 [P].

郑艳玲 ;

邱小英 ;

郭安 ;

肖莉 .

中国专利 :CN117023621B ,2025-08-08

[5]

一种基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器及其制备方法和应用 [P].

王红军 ;

王永庆 ;

朱媛媛 ;

张云飞 .

中国专利 :CN118946246A ,2024-11-12

[6]

一种高熵氧化物/氧化钨异质结忆阻器及方法和应用 [P].

朱媛媛 ;

李志豪 ;

张苗 ;

王红军 ;

罗道斌 ;

王有庆 ;

周静 .

中国专利 :CN120302874A ,2025-07-11

[7]

一种基于介孔氧化钇制备氧化钇陶瓷的方法 [P].

方海亮 ;

王连军 ;

顾士甲 ;

周蓓莹 ;

罗维 ;

江莞 .

中国专利 :CN106588015A ,2017-04-26

[8]

一种块状纳米晶氧化钇气凝胶及其制备方法和应用 [P].

朱陆益 ;

王一帆 ;

刘本学 ;

许东 ;

王新强 ;

张光辉 .

中国专利 :CN115465878A ,2022-12-13

[9]

一种基于非晶氧化镓的光电忆阻器及其制备方法 [P].

祁颂 ;

李山 ;

唐为华 .

中国专利 :CN119947572A ,2025-05-06

[10]

一种叠层结构的氧化铪基阻变存储器及其制备方法和应用 [P].

蒋艳平 ;

唐佳宇 ;

刘秋香 ;

唐新桂 ;

郭晓斌 ;

冯健豪 .

中国专利 :CN118510286A ,2024-08-16

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