一种掺钇氧化铪和氧化钒异质光忆阻材料结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311752801.9

申请日：

2023-12-19

公开(公告)号：

CN117881272A

公开(公告)日：

2024-04-12

发明(设计)人：

牛临魁陈志民刘浩彬朱昊陈鑫黄田田杨万丽

申请人：

郑州大学

申请人地址：

450001 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20231219
2024-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种钇掺杂氧化铪忆阻器及其制备方法 [P].

朱媛媛 ;

李志豪 ;

吴春扬 ;

王红军 ;

罗道斌 ;

王有庆 ;

杨淑宁 ;

周静 .

中国专利 :CN120435218A ,2025-08-05

[2]

一种基于非晶氧化钇/氧化铪双层结构的数字型忆阻器及其制备方法和应用 [P].

王红军 ;

王永庆 ;

杨淑宁 ;

朱媛媛 ;

周静 .

中国专利 :CN119136651A ,2024-12-13

[3]

一种制备掺钨氧化钒薄膜的方法 [P].

吴志明 ;

蒋亚东 ;

杜明军 ;

罗振飞 ;

王涛 ;

许向东 .

中国专利 :CN102251216B ,2011-11-23

[4]

氧化钒薄膜材料的制备方法 [P].

陆卫 ;

潘梅 ;

陈效双 ;

李志锋 ;

李宁 ;

季亚林 ;

钟红梅 .

中国专利 :CN1225318C ,2003-08-20

[5]

一种氧化铪半导体材料结构的性能预测方法 [P].

骆义 ;

何伟业 ;

沈众 ;

陈佳 ;

王佳辉 ;

段海洋 ;

左立杰 ;

尚峰 ;

丁云飞 .

中国专利 :CN121075508A ,2025-12-05

[6]

一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法 [P].

全志勇 ;

王美美 ;

张笑 ;

肖政昱 ;

吕宝华 ;

张军 ;

许小红 .

中国专利 :CN111354851A ,2020-06-30

[7]

一种氧化铪薄膜的制备方法 [P].

刘畅 ;

刘晓阳 .

中国专利 :CN114438458A ,2022-05-06

[8]

一种有机无机复合型钒氧化合物电子相变材料的制备方法 [P].

陈吉堃 ;

周轩弛 ;

姜勇 .

中国专利 :CN115124277A ,2022-09-30

[9]

一种氧化铪薄膜及其制备方法和应用 [P].

霍岩 ;

李禾禾 ;

毛鸿超 ;

曲胜伟 ;

董岐 ;

肖楠 .

中国专利 :CN118668177A ,2024-09-20

[10]

一种氧化铪薄膜及其制备方法和应用 [P].

霍岩 ;

李禾禾 ;

毛鸿超 ;

曲胜伟 ;

董岐 ;

肖楠 .

中国专利 :CN118668177B ,2025-08-05

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