一种基于Si-APD光电探测器的远距离目标物角度测量装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120644571.4

申请日：

2021-03-30

公开(公告)号：

CN214585982U

公开(公告)日：

2021-11-02

发明(设计)人：

熊雨杉熊光亮

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区双清路1号院内6号楼(北)四层411-10

IPC主分类号：

G01S1706

IPC分类号：

G01S74861

代理机构：

北京智沃律师事务所 11620

代理人：

吴志宏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于PSD传感器的目标物角度测量装置 [P].

熊雨杉 ;

熊光亮 .

中国专利 :CN214585983U ,2021-11-02

[2]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN210692551U ,2020-06-05

[3]

基于微纳米结构的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

吴程呈 ;

渠叶君 ;

钟豪 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN104064611A ,2014-09-24

[4]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332B ,2024-01-19

[5]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332A ,2019-11-05

[6]

一种基于分形纳米线表面结构的Si-APD光电探测器及制备方法 [P].

杨奇龙 ;

马晓燠 ;

饶学军 ;

汪韬 ;

盛良睿 .

中国专利 :CN110429156B ,2019-11-08

[7]

以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

王垠 ;

郭安然 ;

余峰 ;

王涛 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN103137773A ,2013-06-05

[8]

一种双波段Ge/Si APD光电探测器 [P].

胡卫英 ;

徐强 ;

谢修敏 ;

陈剑 ;

蒋若梅 ;

柯尊贵 ;

黄帅 ;

邱静 ;

张伟 ;

代千 ;

宋海智 .

中国专利 :CN117790614A ,2024-03-29

[9]

一种单光子Si-APD探测器及其制造方法 [P].

郭安然 ;

雷仁方 ;

李睿智 ;

高建威 ;

向华兵 .

中国专利 :CN110676333A ,2020-01-10

[10]

一种基于APD探测器的光电转换装置 [P].

邢志刚 ;

王雪伟 .

中国专利 :CN215010179U ,2021-12-03

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