以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310077749.1

申请日：

2013-03-12

公开(公告)号：

CN103137773A

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

李伟王垠郭安然余峰王涛蒋亚东

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L31107

IPC分类号：

H01L310352 H01L31028 H01L3118

代理机构：

成都华典专利事务所(普通合伙) 51223

代理人：

徐丰;杨保刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486725719 IPC(主分类):H01L 31/107 专利申请号:2013100777491 申请日:20130312
2013-06-05	公开	公开
2016-01-20	授权	授权
2021-02-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/107 申请日:20130312 授权公告日:20160120 终止日期:20200312

共 50 条

[1]

一种以黑硅材料为光敏层的背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

黄璐 ;

赵国栋 ;

吴志明 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN102176470A ,2011-09-07

[2]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332A ,2019-11-05

[3]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332B ,2024-01-19

[4]

基于微纳米结构的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

吴程呈 ;

渠叶君 ;

钟豪 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN104064611A ,2014-09-24

[5]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN210692551U ,2020-06-05

[6]

PbS量子点Si-APD红外探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110350045A ,2019-10-18

[7]

PbS量子点Si-APD红外探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110350045B ,2024-05-07

[8]

PbS量子点Si-APD红外探测器 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN210224047U ,2020-03-31

[9]

以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si-PIN光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

渠叶君 ;

吴程呈 ;

钟豪 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN104064610A ,2014-09-24

[10]

黑硅层制作方法及黑硅PIN光电探测器制备方法 [P].

廖乃镘 ;

李仁豪 ;

向鹏飞 ;

黄烈云 ;

李华高 .

中国专利 :CN104900752A ,2015-09-09

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