一种以黑硅材料为光敏层的背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110074473.2

申请日：

2011-03-26

公开(公告)号：

CN102176470A

公开(公告)日：

2011-09-07

发明(设计)人：

李伟黄璐赵国栋吴志明蒋亚东

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L31028

IPC分类号：

H01L310352 H01L31075 H01L3118

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

葛启函

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-13	授权	授权
2011-09-07	公开	公开
2011-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101131513835 IPC(主分类):H01L 31/028 专利申请号:2011100744732 申请日:20110326

共 50 条

[1]

以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

王垠 ;

郭安然 ;

余峰 ;

王涛 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN103137773A ,2013-06-05

[2]

一种背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

郭安然 ;

渠叶君 ;

廖家科 ;

王冲 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN103400887A ,2013-11-20

[3]

以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si-PIN光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

渠叶君 ;

吴程呈 ;

钟豪 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN104064610A ,2014-09-24

[4]

一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

盛浩 ;

钟豪 ;

卢满辉 ;

郭国辉 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN105115599A ,2015-12-02

[5]

一种在P层和N层引入微结构硅的Si-PIN光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

卢满辉 ;

盛浩 ;

郭国辉 ;

钟豪 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN105185845A ,2015-12-23

[6]

黑硅层制作方法及黑硅PIN光电探测器制备方法 [P].

廖乃镘 ;

李仁豪 ;

向鹏飞 ;

黄烈云 ;

李华高 .

中国专利 :CN104900752A ,2015-09-09

[7]

黑硅纳米PIN光电探测器结构及其制备方法 [P].

陶科 ;

贾锐 ;

孙恒超 ;

戴小宛 ;

姜帅 ;

周颖 .

中国专利 :CN108321243B ,2018-07-24

[8]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332A ,2019-11-05

[9]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332B ,2024-01-19

[10]

基于微纳米结构的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

吴程呈 ;

渠叶君 ;

钟豪 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN104064611A ,2014-09-24

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