黑硅层制作方法及黑硅PIN光电探测器制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510174161.7

申请日：

2015-04-14

公开(公告)号：

CN104900752A

公开(公告)日：

2015-09-09

发明(设计)人：

廖乃镘李仁豪向鹏飞黄烈云李华高

申请人：

申请人地址：

400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

重庆辉腾律师事务所 50215

代理人：

侯懋琪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-09	公开	公开
2015-10-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101628107256 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2015101741617 申请日:20150414
2017-07-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754938324 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2015101741617 申请公布日:20150909

共 50 条

[1]

黑硅纳米PIN光电探测器结构及其制备方法 [P].

陶科 ;

贾锐 ;

孙恒超 ;

戴小宛 ;

姜帅 ;

周颖 .

中国专利 :CN108321243B ,2018-07-24

[2]

以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

王垠 ;

郭安然 ;

余峰 ;

王涛 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN103137773A ,2013-06-05

[3]

垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法 [P].

张玉平 ;

唐利斌 ;

邓功荣 ;

吴刚 ;

袁绶章 ;

王博 ;

宋立媛 ;

赵鹏 ;

王静宇 ;

岳彪 ;

王海澎 ;

刘燕 ;

辛永刚 ;

王琼芳 ;

苏润洪 ;

魏虹 ;

姬玉龙 ;

黄俊博 ;

李红福 ;

李轶民 ;

敖雨 ;

彭秋思 ;

吴强 .

中国专利 :CN116435384B ,2025-11-28

[4]

硅基高速高响应PIN光电探测器及其制作方法 [P].

向勇军 ;

张鎏 ;

黄烈云 .

中国专利 :CN109686805B ,2019-04-26

[5]

一种以黑硅材料为光敏层的背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

黄璐 ;

赵国栋 ;

吴志明 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN102176470A ,2011-09-07

[6]

硅基光电探测器及其制作方法 [P].

盛振 ;

武爱民 ;

仇超 ;

赵瑛璇 ;

高腾 ;

甘甫烷 ;

王曦 .

中国专利 :CN108878544A ,2018-11-23

[7]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332A ,2019-11-05

[8]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332B ,2024-01-19

[9]

一种黑硅MSM结构光电探测器及其制备方法 [P].

蒋亚东 ;

赵国栋 ;

吴志明 ;

李伟 ;

姜晶 ;

张安元 ;

郭正宇 .

中国专利 :CN101969080A ,2011-02-09

[10]

一种硅基锗光电探测器及制作方法 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 ;

黄珊 ;

余威明 .

中国专利 :CN120676752A ,2025-09-19

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