PbS量子点Si-APD红外探测器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921167047.1

申请日：

2019-07-24

公开(公告)号：

CN210224047U

公开(公告)日：

2020-03-31

发明(设计)人：

陆文强张昆付勰康帅冯双龙

申请人：

申请人地址：

400714 重庆市北碚区方正大道266号

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L310224 H01L31032 H01L31107 H01L3118 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

北京申翔知识产权代理有限公司 11214

代理人：

艾晶

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-31	授权	授权

共 50 条

[1]

PbS量子点Si-APD红外探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110350045A ,2019-10-18

[2]

PbS量子点Si-APD红外探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110350045B ,2024-05-07

[3]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN210692551U ,2020-06-05

[4]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332B ,2024-01-19

[5]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332A ,2019-11-05

[6]

硅基量子点红外探测器 [P].

陈培毅 ;

魏榕山 ;

邓宁 .

中国专利 :CN2678141Y ,2005-02-09

[7]

一种单光子Si-APD探测器及其制造方法 [P].

郭安然 ;

雷仁方 ;

李睿智 ;

高建威 ;

向华兵 .

中国专利 :CN110676333A ,2020-01-10

[8]

以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

王垠 ;

郭安然 ;

余峰 ;

王涛 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN103137773A ,2013-06-05

[9]

光伏型InAs量子点红外探测器结构 [P].

唐光华 ;

徐波 ;

叶小玲 ;

金鹏 ;

刘峰奇 ;

陈涌海 ;

王占国 ;

姜立稳 ;

孔金霞 ;

孔宁 .

中国专利 :CN101740655B ,2010-06-16

[10]

量子阱红外探测器 [P].

刘燕君 .

中国专利 :CN201699035U ,2011-01-05

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