一种单光子Si-APD探测器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910957824.0

申请日：

2019-10-10

公开(公告)号：

CN110676333A

公开(公告)日：

2020-01-10

发明(设计)人：

郭安然雷仁方李睿智高建威向华兵

申请人：

申请人地址：

400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L31107 H01L3118

代理机构：

重庆辉腾律师事务所 50215

代理人：

王海军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0352 申请日:20191010
2021-05-11	授权	授权
2020-01-10	公开	公开

共 50 条

[1]

PbS量子点Si-APD红外探测器 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN210224047U ,2020-03-31

[2]

PbS量子点Si-APD红外探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110350045A ,2019-10-18

[3]

PbS量子点Si-APD红外探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110350045B ,2024-05-07

[4]

一种APD单光子探测器 [P].

梁崇智 ;

曾和平 ;

梁焰 .

中国专利 :CN203011544U ,2013-06-19

[5]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332B ,2024-01-19

[6]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332A ,2019-11-05

[7]

以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

王垠 ;

郭安然 ;

余峰 ;

王涛 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN103137773A ,2013-06-05

[8]

一种星载Si-APD探测器反向偏压自动调节方法 [P].

倪建军 ;

董龙 ;

龚志鹏 ;

王建宇 ;

荣鹏 ;

于双江 ;

李强 ;

张磊 ;

苏浩航 ;

程甘霖 ;

尹帅 ;

黄竞 ;

闫静纯 ;

富帅 ;

顾晨跃 ;

郭宇琨 ;

王鑫 ;

周滕 .

中国专利 :CN106569249B ,2017-04-19

[9]

基于微纳米结构的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

吴程呈 ;

渠叶君 ;

钟豪 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN104064611A ,2014-09-24

[10]

一种单光子成像探测器及其制造方法 [P].

李成敏 ;

严冬 ;

刘健鹏 ;

刘涛 .

中国专利 :CN105609511B ,2016-05-25

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