PbS量子点Si-APD红外探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910669611.8

申请日：

2019-07-24

公开(公告)号：

CN110350045B

公开(公告)日：

2024-05-07

发明(设计)人：

陆文强张昆付勰康帅冯双龙

申请人：

中国科学院重庆绿色智能技术研究院

申请人地址：

400714 重庆市北碚区方正大道266号

IPC主分类号：

H01L31/0352

IPC分类号：

H01L31/0224 H01L31/032 H01L31/107 H01L31/18 B82Y30/00 B82Y40/00

代理机构：

北京申翔知识产权代理有限公司 11214

代理人：

艾晶

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-07	授权	授权

共 50 条

[1]

PbS量子点Si-APD红外探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110350045A ,2019-10-18

[2]

PbS量子点Si-APD红外探测器 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN210224047U ,2020-03-31

[3]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332B ,2024-01-19

[4]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN110416332A ,2019-11-05

[5]

基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器 [P].

陆文强 ;

张昆 ;

付勰 ;

康帅 ;

冯双龙 .

中国专利 :CN210692551U ,2020-06-05

[6]

基于微纳米结构的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

吴程呈 ;

渠叶君 ;

钟豪 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN104064611A ,2014-09-24

[7]

以黑硅为光敏层的Si-APD光电探测器及其制备方法 [P].

李伟 ;

王垠 ;

郭安然 ;

余峰 ;

王涛 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN103137773A ,2013-06-05

[8]

一种单光子Si-APD探测器及其制造方法 [P].

郭安然 ;

雷仁方 ;

李睿智 ;

高建威 ;

向华兵 .

中国专利 :CN110676333A ,2020-01-10

[9]

量子点－阱红外探测器的结构及其制备方法 [P].

王志成 ;

徐波 ;

刘峰奇 ;

陈涌海 ;

王占国 ;

石礼伟 ;

梁凌燕 .

中国专利 :CN101271933A ,2008-09-24

[10]

PbS吸光层制备方法、PbS量子点探测器及制备方法 [P].

高亮 ;

赵学智 ;

唐江 ;

刘婧 .

中国专利 :CN119072203A ,2024-12-03

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