一种防止CBO晶体生长过程掉入熔体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710008604.4

申请日：

2017-01-06

公开(公告)号：

CN106637407A

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

王昌运

申请人：

申请人地址：

350003 福建省福州市软件大道89号F区9号楼

IPC主分类号：

C30B2922

IPC分类号：

C30B912

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724560106 IPC(主分类):C30B 29/22 专利申请号:2017100086044 申请日:20170106
2019-05-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B 29/22 申请公布日:20170510
2017-05-10	公开	公开

共 50 条

[1]

在晶体生长过程中具有熔体掺杂功能的晶体生长装置 [P].

郑沉 ;

方峰 ;

邓德辉 ;

孙韶辉 ;

周旗钢 .

中国专利 :CN101173368A ,2008-05-07

[2]

一种防止晶体生长过程中晶体开裂的方法 [P].

余剑云 ;

佟辉 ;

郑伟 ;

张学锋 ;

赵科新 ;

郭东民 .

中国专利 :CN105648522A ,2016-06-08

[3]

一种晶体生长过程高宽比控制方法 [P].

潘丰 ;

王蕾 .

中国专利 :CN110359081B ,2019-10-22

[4]

在晶体生长过程中使用的硅熔体的锶掺杂 [P].

R·J·菲利浦 ;

S·J·克尔特纳 ;

J·D·霍德尔 .

中国专利 :CN1343264A ,2002-04-03

[5]

在晶体生长过程中使用的硅熔体的钡掺杂 [P].

R·J·飞利普斯 ;

S·J·克勒特尼尔 ;

J·D·赫德尔 .

中国专利 :CN1166822C ,2002-04-03

[6]

一种PVT晶体生长过程精确可控的生长装置 [P].

忻隽 ;

孔海宽 ;

涂小牛 ;

胡阳 .

中国专利 :CN120608319A ,2025-09-09

[7]

一种晶体生长过程的加热电源控制方法 [P].

王军 ;

卜俊鹏 .

中国专利 :CN104965538A ,2015-10-07

[8]

一种晶体生长过程中生长溶液浓度的在线检测方法 [P].

潘丰 ;

朱振新 .

中国专利 :CN111855490B ,2020-10-30

[9]

一种晶体生长过程热量管理优化方法及系统 [P].

蒋国忠 ;

伍锐 ;

高琪 ;

时刚 ;

戴少涛 ;

伍宇扬 ;

伍铭越 ;

何昕 ;

吴学军 .

中国专利 :CN119292384B ,2025-05-30

[10]

一种晶体生长过程能耗智能检测方法及系统 [P].

郑东 ;

肖迪 ;

肖燕青 ;

王鑫 ;

宋百乐 ;

王艳华 .

中国专利 :CN118964866B ,2025-01-24

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