在晶体生长过程中具有熔体掺杂功能的晶体生长装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610114122.9

申请日：

2006-10-30

公开(公告)号：

CN101173368A

公开(公告)日：

2008-05-07

发明(设计)人：

郑沉方峰邓德辉孙韶辉周旗钢

申请人：

申请人地址：

100088北京市新街口外大街2号

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司

代理人：

郭佩兰

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

具有熔体掺杂功能的晶体生长装置 [P].

马尔切洛·卡内拉 .

中国专利 :CN1285009A ,2001-02-21

[2]

在晶体生长过程中使用的硅熔体的锶掺杂 [P].

R·J·菲利浦 ;

S·J·克尔特纳 ;

J·D·霍德尔 .

中国专利 :CN1343264A ,2002-04-03

[3]

在晶体生长过程中使用的硅熔体的钡掺杂 [P].

R·J·飞利普斯 ;

S·J·克勒特尼尔 ;

J·D·赫德尔 .

中国专利 :CN1166822C ,2002-04-03

[4]

用于人工晶体生长过程中的称量装置 [P].

李留臣 ;

冯金生 ;

袁长路 ;

李杰 ;

束天和 .

中国专利 :CN102995113A ,2013-03-27

[5]

晶体生长过程中的液态硅的电磁抽吸 [P].

H·W·科布 .

中国专利 :CN101133192B ,2008-02-27

[6]

晶体生长装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 ;

吴亚娟 .

中国专利 :CN114574954A ,2022-06-03

[7]

晶体生长装置 [P].

廖华 ;

蔡文必 ;

王旻峰 .

中国专利 :CN217517065U ,2022-09-30

[8]

晶体生长装置 [P].

权纪亮 ;

黄晋强 ;

郭勇文 ;

金宁昌 ;

黄国伟 ;

郭建军 ;

刘昌锬 ;

李汉达 .

中国专利 :CN206033931U ,2017-03-22

[9]

晶体生长装置 [P].

柯金煌 ;

张洁 .

中国专利 :CN220433072U ,2024-02-02

[10]

晶体生长装置 [P].

林霞 ;

齐凡 ;

刘俊杰 ;

陈志平 ;

温静 ;

蔡妙玲 ;

郑燕青 .

中国专利 :CN221028784U ,2024-05-28

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101288924204 IPC(主分类):C30B 15/04 专利号:ZL2006101141229 变更事项:专利权人变更前权利人:北京有色金属研究总院变更后权利人:有研半导体材料股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:100088 北京市新街口外大街2号变更后权利人:100088 北京市新街口外大街2号变更事项:共同专利权人变更前权利人:有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司变更后权利人:国泰半导体材料有限公司登记生效日:20120111
2008-05-07	公开	公开
2021-07-09	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C30B 15/04 变更事项:专利权人变更前:有研半导体材料有限公司变更后:有研半导体硅材料股份公司变更事项:地址变更前:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧变更后:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
2014-06-25	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101702245657 IPC(主分类):C30B 15/04 专利号:ZL2006101141229 变更事项:专利权人变更前:有研半导体材料股份有限公司变更后:有研新材料股份有限公司变更事项:地址变更前:100088 北京市新街口外大街2号变更后:100088 北京市新街口外大街2号变更事项:专利权人变更前:国泰半导体材料有限公司变更后:国泰半导体材料有限公司
2015-09-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101720240047 IPC(主分类):C30B 15/04 专利号:ZL2006101141229 变更事项:专利权人变更前权利人:有研新材料股份有限公司变更后权利人:有研半导体材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:100088 北京市新街口外大街2号变更后权利人:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧变更事项:专利权人变更前权利人:有研半导体材料有限公司变更后权利人:无登记生效日:20150813
2015-06-03	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101715940002 IPC(主分类):C30B 15/04 专利号:ZL2006101141229 变更事项:专利权人变更前:有研新材料股份有限公司变更后:有研新材料股份有限公司变更事项:地址变更前:100088 北京市新街口外大街2号变更后:100088 北京市新街口外大街2号变更事项:专利权人变更前:国泰半导体材料有限公司变更后:有研半导体材料有限公司
2008-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-09-29	授权	授权