用于人工晶体生长过程中的称量装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210512240.0

申请日：

2012-12-04

公开(公告)号：

CN102995113A

公开(公告)日：

2013-03-27

发明(设计)人：

李留臣冯金生袁长路李杰束天和

申请人：

申请人地址：

213200 江苏省常州市金坛市金坛经济开发区华城路318号

IPC主分类号：

C30B1528

IPC分类号：

代理机构：

西安弘理专利事务所 61214

代理人：

罗笛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-27	公开	公开
2013-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件序号:101444327366 IPC(主分类):C30B 15/28 专利申请号:2012105122400 申请日:20121204 号牌文件类型代码:1604
2016-08-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101736925009 IPC(主分类):C30B 15/28 专利申请号:2012105122400 申请公布日:20130327

共 50 条

[1]

一种人工晶体生长用称重装置 [P].

李留臣 ;

冯金生 ;

袁长路 ;

李杰 ;

束天和 .

中国专利 :CN202925148U ,2013-05-08

[2]

在晶体生长过程中具有熔体掺杂功能的晶体生长装置 [P].

郑沉 ;

方峰 ;

邓德辉 ;

孙韶辉 ;

周旗钢 .

中国专利 :CN101173368A ,2008-05-07

[3]

用于晶体生长过程中温度控制的方法和系统 [P].

薛抗美 ;

刘林艳 ;

高海棠 .

中国专利 :CN112080794A ,2020-12-15

[4]

晶体生长过程中的液态硅的电磁抽吸 [P].

H·W·科布 .

中国专利 :CN101133192B ,2008-02-27

[5]

一种防止晶体生长过程中晶体开裂的方法 [P].

余剑云 ;

佟辉 ;

郑伟 ;

张学锋 ;

赵科新 ;

郭东民 .

中国专利 :CN105648522A ,2016-06-08

[6]

用于在锗晶体生长过程中粘出脏料的方法 [P].

张路 ;

于洪国 ;

林泉 ;

杜长岭 ;

赵哲 .

中国专利 :CN111809237B ,2020-10-23

[7]

晶体生长过程实时显示诊断装置 [P].

束继祖 ;

郝沛明 ;

陈吉祥 ;

罗睿智 ;

段俐 ;

康琦 ;

伍小平 ;

缪泓 .

中国专利 :CN2380579Y ,2000-05-31

[8]

一种晶体生长过程中结晶检测方法及装置 [P].

杨振雷 ;

赵杰 ;

赵博 .

中国专利 :CN117385459A ,2024-01-12

[9]

一种晶体生长过程中结晶检测方法及装置 [P].

杨振雷 ;

赵杰 ;

赵博 .

中国专利 :CN117385459B ,2024-06-18

[10]

一种晶体生长过程中炉内原料注入装置 [P].

王书杰 ;

孙聂枫 ;

史艳磊 ;

邵会民 ;

徐森锋 ;

付莉杰 ;

王阳 ;

李晓岚 ;

欧欣 ;

宋瑞良 ;

刘惠生 ;

孙同年 .

中国专利 :CN215050847U ,2021-12-07

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