晶体生长过程中的液态硅的电磁抽吸

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580048843.8

申请日：

2005-11-29

公开(公告)号：

CN101133192B

公开(公告)日：

2008-02-27

发明(设计)人：

H·W·科布

申请人：

申请人地址：

美国密苏里州

IPC主分类号：

C30B1530

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

马江立;秘凤华

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101643312813 IPC(主分类):C30B 15/30 专利号:ZL2005800488438 申请日:20051129 授权公告日:20100512 终止日期:20141129
2008-02-27	公开	公开
2008-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-05-12	授权	授权

共 50 条

[1]

在晶体生长过程中具有熔体掺杂功能的晶体生长装置 [P].

郑沉 ;

方峰 ;

邓德辉 ;

孙韶辉 ;

周旗钢 .

中国专利 :CN101173368A ,2008-05-07

[2]

用于人工晶体生长过程中的称量装置 [P].

李留臣 ;

冯金生 ;

袁长路 ;

李杰 ;

束天和 .

中国专利 :CN102995113A ,2013-03-27

[3]

一种防止晶体生长过程中晶体开裂的方法 [P].

余剑云 ;

佟辉 ;

郑伟 ;

张学锋 ;

赵科新 ;

郭东民 .

中国专利 :CN105648522A ,2016-06-08

[4]

用于晶体生长过程中温度控制的方法和系统 [P].

薛抗美 ;

刘林艳 ;

高海棠 .

中国专利 :CN112080794A ,2020-12-15

[5]

用于在锗晶体生长过程中粘出脏料的方法 [P].

张路 ;

于洪国 ;

林泉 ;

杜长岭 ;

赵哲 .

中国专利 :CN111809237B ,2020-10-23

[6]

在晶体生长过程中使用的硅熔体的锶掺杂 [P].

R·J·菲利浦 ;

S·J·克尔特纳 ;

J·D·霍德尔 .

中国专利 :CN1343264A ,2002-04-03

[7]

在晶体生长过程中使用的硅熔体的钡掺杂 [P].

R·J·飞利普斯 ;

S·J·克勒特尼尔 ;

J·D·赫德尔 .

中国专利 :CN1166822C ,2002-04-03

[8]

一种晶体生长过程中图像生成的控制方法 [P].

李再兴 ;

李端科 ;

张利 ;

李浩毅 .

中国专利 :CN120041920A ,2025-05-27

[9]

一种晶体生长过程中炉内原料注入装置 [P].

王书杰 ;

孙聂枫 ;

史艳磊 ;

邵会民 ;

徐森锋 ;

付莉杰 ;

王阳 ;

李晓岚 ;

欧欣 ;

宋瑞良 ;

刘惠生 ;

孙同年 .

中国专利 :CN215050847U ,2021-12-07

[10]

一种PVT晶体生长过程精确可控的生长装置 [P].

忻隽 ;

孔海宽 ;

涂小牛 ;

胡阳 .

中国专利 :CN120608319A ,2025-09-09

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