在晶体生长过程中使用的硅熔体的锶掺杂

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00805045.7

申请日：

2000-03-14

公开(公告)号：

CN1343264A

公开(公告)日：

2002-04-03

发明(设计)人：

R·J·菲利浦 S·J·克尔特纳 J·D·霍德尔

申请人：

申请人地址：

美国密苏里

IPC主分类号：

C30B1510

IPC分类号：

C30B1500 C30B2906

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-05-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101659960831 IPC(主分类):C30B 15/10 专利号:ZL008050457 申请日:20000314 授权公告日:20040915 终止日期:20150314
2002-04-03	公开	公开
2004-09-15	授权	授权

共 50 条

[1]

在晶体生长过程中使用的硅熔体的钡掺杂 [P].

R·J·飞利普斯 ;

S·J·克勒特尼尔 ;

J·D·赫德尔 .

中国专利 :CN1166822C ,2002-04-03

[2]

在晶体生长过程中具有熔体掺杂功能的晶体生长装置 [P].

郑沉 ;

方峰 ;

邓德辉 ;

孙韶辉 ;

周旗钢 .

中国专利 :CN101173368A ,2008-05-07

[3]

晶体生长过程中的液态硅的电磁抽吸 [P].

H·W·科布 .

中国专利 :CN101133192B ,2008-02-27

[4]

用于人工晶体生长过程中的称量装置 [P].

李留臣 ;

冯金生 ;

袁长路 ;

李杰 ;

束天和 .

中国专利 :CN102995113A ,2013-03-27

[5]

一种防止CBO晶体生长过程掉入熔体的方法 [P].

王昌运 .

中国专利 :CN106637407A ,2017-05-10

[6]

一种防止晶体生长过程中晶体开裂的方法 [P].

余剑云 ;

佟辉 ;

郑伟 ;

张学锋 ;

赵科新 ;

郭东民 .

中国专利 :CN105648522A ,2016-06-08

[7]

用于在锗晶体生长过程中粘出脏料的方法 [P].

张路 ;

于洪国 ;

林泉 ;

杜长岭 ;

赵哲 .

中国专利 :CN111809237B ,2020-10-23

[8]

用于晶体生长过程中温度控制的方法和系统 [P].

薛抗美 ;

刘林艳 ;

高海棠 .

中国专利 :CN112080794A ,2020-12-15

[9]

单晶硅生长过程中粘壁硅的去除方法 [P].

张俊宝 ;

刘浦锋 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN105951175A ,2016-09-21

[10]

用于控制晶体生长过程期间气体掺杂剂蒸发速率的系统及方法 [P].

胡杰 ;

曾贤达 ;

吴俊升 ;

W·L·卢特尔 ;

陈亮钦 ;

S·巴哈加瓦特 ;

卡瑞喜玛·玛莉·哈德森 ;

吴雨樵 .

中国专利 :CN120225734A ,2025-06-27

← 1 2 3 4 5 →