单晶硅生长过程中粘壁硅的去除方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610364026.3

申请日：

2016-05-30

公开(公告)号：

CN105951175A

公开(公告)日：

2016-09-21

发明(设计)人：

张俊宝刘浦锋宋洪伟陈猛

申请人：

申请人地址：

201604 上海市松江区石湖荡镇养石路88号

IPC主分类号：

C30B1516

IPC分类号：

C30B1520 C30B2906

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B 15/16 申请公布日:20160921
2016-09-21	公开	公开
2017-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101751779910 IPC(主分类):C30B 15/16 专利申请号:2016103640263 申请日:20160530

共 50 条

[1]

调节单晶硅生长过程中氧含量的方法 [P].

黄末 .

中国专利 :CN109576785A ,2019-04-05

[2]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN104619893A ,2015-05-13

[3]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN108823636A ,2018-11-16

[4]

单晶炉、确定该单晶炉在单晶硅生长过程中操作参数的方法以及制备单晶硅的方法 [P].

陈翼 ;

黄末 ;

刘奇 .

中国专利 :CN111926384B ,2020-11-13

[5]

直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法 [P].

刘丁 ;

任海鹏 ;

赵跃 ;

李琦 .

中国专利 :CN100436658C ,2007-08-01

[6]

单晶硅生长控制方法 [P].

张俊宝 ;

宋洪伟 .

中国专利 :CN105401212A ,2016-03-16

[7]

单晶硅生长设备和生长单晶硅的方法 [P].

全洙仁 .

中国专利 :CN104583467A ,2015-04-29

[8]

单晶硅生长装置及单晶硅生长方法 [P].

卢哲玮 ;

薛抗美 .

中国专利 :CN111394784A ,2020-07-10

[9]

单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN107151818A ,2017-09-12

[10]

单晶硅生长过程控制方法、装置、设备及存储介质 [P].

陈碧海 .

中国专利 :CN118957738A ,2024-11-15

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