调节单晶硅生长过程中氧含量的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811636347.X

申请日：

2018-12-29

公开(公告)号：

CN109576785A

公开(公告)日：

2019-04-05

发明(设计)人：

黄末

申请人：

申请人地址：

221004 江苏省徐州市徐州经济开发区杨山路66号

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1500

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

赵天月

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20181229
2020-11-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/06 申请公布日:20190405
2019-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶硅生长过程中粘壁硅的去除方法 [P].

张俊宝 ;

刘浦锋 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN105951175A ,2016-09-21

[2]

单晶炉、确定该单晶炉在单晶硅生长过程中操作参数的方法以及制备单晶硅的方法 [P].

陈翼 ;

黄末 ;

刘奇 .

中国专利 :CN111926384B ,2020-11-13

[3]

直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法 [P].

刘丁 ;

任海鹏 ;

赵跃 ;

李琦 .

中国专利 :CN100436658C ,2007-08-01

[4]

单晶硅生长氧含量控制技术 [P].

张俊宝 ;

宋洪伟 .

中国专利 :CN105506731A ,2016-04-20

[5]

氧含量可控的单晶硅和硅晶圆、单晶硅生长方法及系统 [P].

潘浩 .

中国专利 :CN118814268A ,2024-10-22

[6]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN104619893A ,2015-05-13

[7]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN108823636A ,2018-11-16

[8]

单晶硅生长设备和生长单晶硅的方法 [P].

全洙仁 .

中国专利 :CN104583467A ,2015-04-29

[9]

低氧含量单晶硅生长方法 [P].

张俊宝 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN107604430A ,2018-01-19

[10]

一种单晶硅生长过程的工艺优化方法及装置 [P].

李慧玲 ;

皇甫亚楠 ;

乔乐 ;

付明全 ;

徐志群 .

中国专利 :CN121215123A ,2025-12-26

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