用于在锗晶体生长过程中粘出脏料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010495166.0

申请日：

2020-06-03

公开(公告)号：

CN111809237B

公开(公告)日：

2020-10-23

发明(设计)人：

张路于洪国林泉杜长岭赵哲

申请人：

申请人地址：

065001 河北省廊坊市廊坊开发区百合道4号

IPC主分类号：

C30B2908

IPC分类号：

C30B1500

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

佟林松

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/08 申请日:20200603
2021-10-08	授权	授权
2020-10-23	公开	公开
2022-03-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/08 登记生效日:20220225 变更事项:专利权人变更前权利人:有研光电新材料有限责任公司变更后权利人:有研国晶辉新材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:065001 河北省廊坊市廊坊开发区百合道4号变更后权利人:065201 河北省廊坊市三河市燕郊兴都村南有研科技集团有限公司二部

共 50 条

[1]

一种防止晶体生长过程中晶体开裂的方法 [P].

余剑云 ;

佟辉 ;

郑伟 ;

张学锋 ;

赵科新 ;

郭东民 .

中国专利 :CN105648522A ,2016-06-08

[2]

用于人工晶体生长过程中的称量装置 [P].

李留臣 ;

冯金生 ;

袁长路 ;

李杰 ;

束天和 .

中国专利 :CN102995113A ,2013-03-27

[3]

在晶体生长过程中具有熔体掺杂功能的晶体生长装置 [P].

郑沉 ;

方峰 ;

邓德辉 ;

孙韶辉 ;

周旗钢 .

中国专利 :CN101173368A ,2008-05-07

[4]

晶体生长过程中的液态硅的电磁抽吸 [P].

H·W·科布 .

中国专利 :CN101133192B ,2008-02-27

[5]

用于晶体生长过程中温度控制的方法和系统 [P].

薛抗美 ;

刘林艳 ;

高海棠 .

中国专利 :CN112080794A ,2020-12-15

[6]

一种晶体生长过程中图像生成的控制方法 [P].

李再兴 ;

李端科 ;

张利 ;

李浩毅 .

中国专利 :CN120041920A ,2025-05-27

[7]

一种晶体生长过程中结晶检测方法及装置 [P].

杨振雷 ;

赵杰 ;

赵博 .

中国专利 :CN117385459A ,2024-01-12

[8]

一种晶体生长过程中结晶检测方法及装置 [P].

杨振雷 ;

赵杰 ;

赵博 .

中国专利 :CN117385459B ,2024-06-18

[9]

在晶体生长过程中使用的硅熔体的锶掺杂 [P].

R·J·菲利浦 ;

S·J·克尔特纳 ;

J·D·霍德尔 .

中国专利 :CN1343264A ,2002-04-03

[10]

一种用于晶体生长过程中回收铱粉的回收桶 [P].

胡治军 .

中国专利 :CN207331107U ,2018-05-08

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