用于晶体生长过程中温度控制的方法和系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010311608.1
申请日
2020-04-20
公开(公告)号
CN112080794A
公开(公告)日
2020-12-15
发明(设计)人
薛抗美 刘林艳 高海棠
申请人
申请人地址
221000 江苏省徐州市经济开发区鑫芯路1号
IPC主分类号
C30B1520
IPC分类号
C30B2906
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
陈晓;闫小龙
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
用于人工晶体生长过程中的称量装置 [P]. 
李留臣 ;
冯金生 ;
袁长路 ;
李杰 ;
束天和 .
中国专利 :CN102995113A ,2013-03-27
[2]
一种晶体生长过程中图像生成的控制方法 [P]. 
李再兴 ;
李端科 ;
张利 ;
李浩毅 .
中国专利 :CN120041920A ,2025-05-27
[3]
一种防止晶体生长过程中晶体开裂的方法 [P]. 
余剑云 ;
佟辉 ;
郑伟 ;
张学锋 ;
赵科新 ;
郭东民 .
中国专利 :CN105648522A ,2016-06-08
[4]
在晶体生长过程中具有熔体掺杂功能的晶体生长装置 [P]. 
郑沉 ;
方峰 ;
邓德辉 ;
孙韶辉 ;
周旗钢 .
中国专利 :CN101173368A ,2008-05-07
[5]
晶体生长过程中的液态硅的电磁抽吸 [P]. 
H·W·科布 .
中国专利 :CN101133192B ,2008-02-27
[6]
晶体生长过程实时显示诊断装置 [P]. 
束继祖 ;
郝沛明 ;
陈吉祥 ;
罗睿智 ;
段俐 ;
康琦 ;
伍小平 ;
缪泓 .
中国专利 :CN2380579Y ,2000-05-31
[7]
用于在锗晶体生长过程中粘出脏料的方法 [P]. 
张路 ;
于洪国 ;
林泉 ;
杜长岭 ;
赵哲 .
中国专利 :CN111809237B ,2020-10-23
[8]
一种晶体生长过程高精度温度控制系统 [P]. 
潘丰 ;
沈正阳 ;
邹金鹏 .
中国专利 :CN106637381A ,2017-05-10
[9]
一种晶体生长过程高精度温度控制系统 [P]. 
潘丰 ;
沈正阳 ;
邹金鹏 .
中国专利 :CN206486619U ,2017-09-12
[10]
晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质 [P]. 
张建成 .
中国专利 :CN113463184A ,2021-10-01