一种晶体生长过程高精度温度控制系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710068585.4

申请日：

2017-02-08

公开(公告)号：

CN106637381A

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

潘丰沈正阳邹金鹏

申请人：

申请人地址：

214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号

IPC主分类号：

C30B708

IPC分类号：

C30B2914

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	公开	公开
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724583367 IPC(主分类):C30B 7/08 专利申请号:2017100685854 申请日:20170208

共 50 条

[1]

一种晶体生长过程高精度温度控制系统 [P].

潘丰 ;

沈正阳 ;

邹金鹏 .

中国专利 :CN206486619U ,2017-09-12

[2]

一种晶体生长过程高宽比控制方法 [P].

潘丰 ;

王蕾 .

中国专利 :CN110359081B ,2019-10-22

[3]

一种晶体生长温度控制系统 [P].

夏钰坤 ;

夏宗仁 ;

曹义育 ;

曹远虎 ;

程红鹏 ;

张婷 ;

夏文英 .

中国专利 :CN213447385U ,2021-06-15

[4]

一种高精度温度控制系统 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN114647265A ,2022-06-21

[5]

用于锗单晶生长过程中的高精度温度控制方法及控制系统 [P].

张红勇 .

中国专利 :CN101392405B ,2009-03-25

[6]

用于晶体生长过程中温度控制的方法和系统 [P].

薛抗美 ;

刘林艳 ;

高海棠 .

中国专利 :CN112080794A ,2020-12-15

[7]

一种晶体生长炉温度控制系统 [P].

蒋相站 ;

吐尔迪·吾买尔 .

中国专利 :CN108221045A ,2018-06-29

[8]

一种PVT晶体生长过程精确可控的生长装置 [P].

忻隽 ;

孔海宽 ;

涂小牛 ;

胡阳 .

中国专利 :CN120608319A ,2025-09-09

[9]

一种高精度温度控制系统 [P].

张帅 ;

鲁爱昕 ;

施奇兵 ;

高娜 ;

潘焕双 .

中国专利 :CN203733012U ,2014-07-23

[10]

一种高精度温度控制系统 [P].

崔静 ;

郭金龙 ;

沙利烽 ;

吴冬 ;

程思奇 .

中国专利 :CN203705994U ,2014-07-09

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