用于锗单晶生长过程中的高精度温度控制方法及控制系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810231901.6

申请日：

2008-10-27

公开(公告)号：

CN101392405B

公开(公告)日：

2009-03-25

发明(设计)人：

张红勇

申请人：

申请人地址：

710077 陕西省西安市高新区锦业路69号B区

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B2908

代理机构：

西安弘理专利事务所 61214

代理人：

罗笛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-07	授权	授权
2019-10-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 15/20 申请日:20081027 授权公告日:20110907 终止日期:20181027
2009-03-25	公开	公开
2009-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种晶体生长过程高精度温度控制系统 [P].

潘丰 ;

沈正阳 ;

邹金鹏 .

中国专利 :CN106637381A ,2017-05-10

[2]

一种晶体生长过程高精度温度控制系统 [P].

潘丰 ;

沈正阳 ;

邹金鹏 .

中国专利 :CN206486619U ,2017-09-12

[3]

锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法 [P].

董汝昆 ;

李武芳 ;

祝永成 ;

何永彬 ;

高云浩 ;

金之生 ;

杨小瑞 ;

权忠朝 .

中国专利 :CN105951170A ,2016-09-21

[4]

玻璃镀膜过程中的温度控制系统 [P].

王妍 ;

屈菊平 ;

许来林 ;

岳军平 ;

易正江 ;

马保青 ;

古保祥 .

中国专利 :CN206991142U ,2018-02-09

[5]

一种全氟离子膜制备过程中多路高精度温度控制系统 [P].

孟青 ;

夏鸣声 .

中国专利 :CN209803646U ,2019-12-17

[6]

一种高精度温度控制系统 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN114647265A ,2022-06-21

[7]

一种高精度温度控制系统 [P].

崔静 ;

郭金龙 ;

沙利烽 ;

吴冬 ;

程思奇 .

中国专利 :CN203705994U ,2014-07-09

[8]

一种高精度温度控制系统 [P].

崔静 ;

郭金龙 ;

沙利烽 ;

吴冬 ;

程思奇 .

中国专利 :CN103677017A ,2014-03-26

[9]

用于单晶硅生长过程控制的智能PID控制方法及其系统 [P].

焦建耀 .

中国专利 :CN101748477A ,2010-06-23

[10]

一种高精度液冷温度控制系统及温度控制方法 [P].

马飞虎 ;

阎攀群 .

中国专利 :CN118170178A ,2024-06-11

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