用于单晶硅生长过程控制的智能PID控制方法及其系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810239837.6

申请日：

2008-12-19

公开(公告)号：

CN101748477A

公开(公告)日：

2010-06-23

发明(设计)人：

焦建耀

申请人：

申请人地址：

100100 北京市通州区聚富苑民族产业发展基地聚和六街1-1-106

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100

代理人：

陈曦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101176911664 IPC(主分类):C30B 15/20 专利申请号:2008102398376 申请日:20081219
2013-10-23	授权	授权
2010-06-23	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶硅生长过程控制方法、装置、设备及存储介质 [P].

陈碧海 .

中国专利 :CN118957738A ,2024-11-15

[2]

单晶硅生长控制方法 [P].

张俊宝 ;

宋洪伟 .

中国专利 :CN105401212A ,2016-03-16

[3]

单晶硅生长炉及其控制方法 [P].

陈俊宏 .

中国专利 :CN115506017B ,2024-09-13

[4]

单晶硅生长炉及其控制方法 [P].

吕国强 ;

张奇涛 ;

王艾 ;

李太 ;

何沛霖 ;

马文会 ;

任永生 .

中国专利 :CN120537029A ,2025-08-26

[5]

单晶硅生长炉及其控制方法 [P].

陈俊宏 .

中国专利 :CN118979305A ,2024-11-19

[6]

单晶硅生长炉及其控制方法 [P].

陈俊宏 .

中国专利 :CN115506017A ,2022-12-23

[7]

单晶硅生长炉及其控制方法 [P].

付金玉 ;

耿成康 ;

马启君 ;

唐明贵 .

中国专利 :CN119685926A ,2025-03-25

[8]

单晶硅的生长控制方法以及单晶硅的生长控制装置 [P].

熊城 ;

王鹏飞 ;

孙伟刚 ;

蔡辉 .

中国专利 :CN119530971A ,2025-02-28

[9]

单晶硅生长过程中粘壁硅的去除方法 [P].

张俊宝 ;

刘浦锋 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN105951175A ,2016-09-21

[10]

一种单晶硅生长状态控制方法 [P].

陈齐平 ;

庞宏宇 ;

丁俊岭 ;

戴健 ;

杨洁 ;

欧子杨 ;

陈养俊 ;

林瑶 ;

万雪健 ;

任倩倩 .

中国专利 :CN118390153A ,2024-07-26

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