用于控制晶体生长过程期间气体掺杂剂蒸发速率的系统及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380077857.0

申请日：

2023-10-03

公开(公告)号：

CN120225734A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

胡杰曾贤达吴俊升 W·L·卢特尔陈亮钦 S·巴哈加瓦特卡瑞喜玛·玛莉·哈德森吴雨樵

申请人：

环球晶圆股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市工业东二路8号

IPC主分类号：

C30B15/04

IPC分类号：

C30B29/06

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

江葳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/04申请日:20231003
2025-06-27	公开	公开

共 50 条

[1]

在晶体生长过程中具有熔体掺杂功能的晶体生长装置 [P].

郑沉 ;

方峰 ;

邓德辉 ;

孙韶辉 ;

周旗钢 .

中国专利 :CN101173368A ,2008-05-07

[2]

用于晶体生长过程中温度控制的方法和系统 [P].

薛抗美 ;

刘林艳 ;

高海棠 .

中国专利 :CN112080794A ,2020-12-15

[3]

在晶体生长过程中使用的硅熔体的锶掺杂 [P].

R·J·菲利浦 ;

S·J·克尔特纳 ;

J·D·霍德尔 .

中国专利 :CN1343264A ,2002-04-03

[4]

在晶体生长过程中使用的硅熔体的钡掺杂 [P].

R·J·飞利普斯 ;

S·J·克勒特尼尔 ;

J·D·赫德尔 .

中国专利 :CN1166822C ,2002-04-03

[5]

一种晶体生长过程高宽比控制方法 [P].

潘丰 ;

王蕾 .

中国专利 :CN110359081B ,2019-10-22

[6]

透明晶体生长过程边缘及体积实时监测方法及系统 [P].

陈振学 ;

泮永朋 ;

徐明霞 ;

刘章强 .

中国专利 :CN110033486A ,2019-07-19

[7]

用于人工晶体生长过程中的称量装置 [P].

李留臣 ;

冯金生 ;

袁长路 ;

李杰 ;

束天和 .

中国专利 :CN102995113A ,2013-03-27

[8]

用于将砷掺杂剂加入硅晶体生长工艺中的方法和装置 [P].

C·F·切尔科 ;

M·巴纳 ;

M·库尔卡尼 .

中国专利 :CN1432075A ,2003-07-23

[9]

一种晶体生长过程热量管理优化方法及系统 [P].

蒋国忠 ;

伍锐 ;

高琪 ;

时刚 ;

戴少涛 ;

伍宇扬 ;

伍铭越 ;

何昕 ;

吴学军 .

中国专利 :CN119292384B ,2025-05-30

[10]

一种晶体生长过程能耗智能检测方法及系统 [P].

郑东 ;

肖迪 ;

肖燕青 ;

王鑫 ;

宋百乐 ;

王艳华 .

中国专利 :CN118964866B ,2025-01-24

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