CMP研磨方法和半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480010675.9

申请日：

2004-04-14

公开(公告)号：

CN1777979A

公开(公告)日：

2006-05-24

发明(设计)人：

星野进北出裕子吉田典夫

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

杨林森;谷惠敏

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-13	授权	授权
2006-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-05-24	公开	公开

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

彭成毅 ;

陈文园 ;

谢文兴 ;

许一如 ;

何炯煦 ;

李松柏 ;

田博仁 .

中国专利 :CN111128888B ,2020-05-08

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

姜声珉 ;

金炅泯 ;

金荣睦 ;

禹珉希 .

韩国专利 :CN111739927B ,2024-10-11

[3]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

江国诚 ;

王志豪 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN109273362B ,2019-01-25

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

江国诚 ;

王志豪 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN114464535B ,2025-07-25

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

姜声珉 ;

金炅泯 ;

金荣睦 ;

禹珉希 .

中国专利 :CN111739927A ,2020-10-02

[6]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

江国诚 ;

王志豪 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN114464535A ,2022-05-10

[7]

半导体器件和使用多个CMP工艺制造半导体器件的方法 [P].

克里希纳·切特里 ;

甘尼桑·拉达克里希南 .

中国专利 :CN115565865A ,2023-01-03

[8]

研磨方法和半导体器件制造方法及半导体制造装置 [P].

宫下直人 ;

安部正泰 ;

下村麻里子 .

中国专利 :CN1083154C ,1997-08-06

[9]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

韩啸 .

中国专利 :CN111490099B ,2020-08-04

[10]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

福田恭平 ;

望月英司 ;

泽野光利 ;

须泽孝昭 .

中国专利 :CN102280470A ,2011-12-14

← 1 2 3 4 5 →