半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010186965.X

申请日：

2020-03-17

公开(公告)号：

CN111739927B

公开(公告)日：

2024-10-11

发明(设计)人：

姜声珉金炅泯金荣睦禹珉希

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L27/02 H01L21/8234

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

李娜;王占杰

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-11	授权	授权

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

江国诚 ;

王志豪 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN109273362B ,2019-01-25

[2]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

江国诚 ;

王志豪 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN114464535B ,2025-07-25

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

姜声珉 ;

金炅泯 ;

金荣睦 ;

禹珉希 .

中国专利 :CN111739927A ,2020-10-02

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

江国诚 ;

王志豪 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN114464535A ,2022-05-10

[5]

半导体器件、半导体器件布局和制造半导体器件的方法 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN106024628A ,2016-10-12

[6]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

涂火金 ;

三重野文健 ;

禹国宾 .

中国专利 :CN103165664A ,2013-06-19

[7]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

森日出树 .

中国专利 :CN101661935B ,2010-03-03

[8]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

韩啸 .

中国专利 :CN111490099B ,2020-08-04

[9]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

福田恭平 ;

望月英司 ;

泽野光利 ;

须泽孝昭 .

中国专利 :CN102280470A ,2011-12-14

[10]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

日本专利 :CN110600378B ,2024-01-19

← 1 2 3 4 5 →