半导体场效应管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110636587.5
申请日
2021-06-08
公开(公告)号
CN113471282A
公开(公告)日
2021-10-01
发明(设计)人
李百奎
申请人
申请人地址
518061 广东省深圳市南山区南海大道3688号
IPC主分类号
H01L29778
IPC分类号
H01L2906
代理机构
广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205
代理人
洪铭福
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体场效应管 [P]. 
李百奎 .
中国专利 :CN113471282B ,2024-02-06
[2]
半导体场效应管 [P]. 
李百奎 .
中国专利 :CN113471281A ,2021-10-01
[3]
半导体场效应管器件 [P]. 
潘仁杰 ;
田柏冠 ;
郑轩志 .
中国专利 :CN223297938U ,2025-09-02
[4]
一种半导体场效应管 [P]. 
洪越 .
中国专利 :CN109545857A ,2019-03-29
[5]
一种半导体场效应管 [P]. 
夏洪贵 .
中国专利 :CN204130547U ,2015-01-28
[6]
场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN111755336A ,2020-10-09
[7]
场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN111755336B ,2024-05-14
[8]
防静电的半导体场效应管结构 [P]. 
柯佳键 .
中国专利 :CN215157206U ,2021-12-14
[9]
一种半导体场效应管器件 [P]. 
何梓维 ;
梁嘉进 ;
伍震威 ;
单建安 .
中国专利 :CN220672589U ,2024-03-26
[10]
防静电的半导体场效应管结构 [P]. 
周锦旗 ;
张含清 .
中国专利 :CN222546359U ,2025-02-28