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半导体场效应管
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110636587.5
申请日
:
2021-06-08
公开(公告)号
:
CN113471282A
公开(公告)日
:
2021-10-01
发明(设计)人
:
李百奎
申请人
:
申请人地址
:
518061 广东省深圳市南山区南海大道3688号
IPC主分类号
:
H01L29778
IPC分类号
:
H01L2906
代理机构
:
广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205
代理人
:
洪铭福
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-10-01
公开
公开
2021-10-26
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210608
共 50 条
[1]
半导体场效应管
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
李百奎
.
中国专利
:CN113471282B
,2024-02-06
[2]
半导体场效应管
[P].
李百奎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李百奎
.
中国专利
:CN113471281A
,2021-10-01
[3]
半导体场效应管器件
[P].
潘仁杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海一本芯半导体科技有限公司
上海一本芯半导体科技有限公司
潘仁杰
;
田柏冠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海一本芯半导体科技有限公司
上海一本芯半导体科技有限公司
田柏冠
;
郑轩志
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海一本芯半导体科技有限公司
上海一本芯半导体科技有限公司
郑轩志
.
中国专利
:CN223297938U
,2025-09-02
[4]
一种半导体场效应管
[P].
洪越
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
洪越
.
中国专利
:CN109545857A
,2019-03-29
[5]
一种半导体场效应管
[P].
夏洪贵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
夏洪贵
.
中国专利
:CN204130547U
,2015-01-28
[6]
场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飞
.
中国专利
:CN111755336A
,2020-10-09
[7]
场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
周飞
.
中国专利
:CN111755336B
,2024-05-14
[8]
防静电的半导体场效应管结构
[P].
柯佳键
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
柯佳键
.
中国专利
:CN215157206U
,2021-12-14
[9]
一种半导体场效应管器件
[P].
何梓维
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
安建科技有限公司
安建科技有限公司
何梓维
;
梁嘉进
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
安建科技有限公司
安建科技有限公司
梁嘉进
;
伍震威
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
安建科技有限公司
安建科技有限公司
伍震威
;
单建安
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
安建科技有限公司
安建科技有限公司
单建安
.
中国专利
:CN220672589U
,2024-03-26
[10]
防静电的半导体场效应管结构
[P].
周锦旗
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市华朔半导体有限公司
深圳市华朔半导体有限公司
周锦旗
;
张含清
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市华朔半导体有限公司
深圳市华朔半导体有限公司
张含清
.
中国专利
:CN222546359U
,2025-02-28
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