场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底

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专利类型
发明
申请号
CN201910245569.7
申请日
2019-03-28
公开(公告)号
CN111755336A
公开(公告)日
2020-10-09
发明(设计)人
周飞
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2906 H01L2978
代理机构
上海德禾翰通律师事务所 31319
代理人
侯莉
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN111755336B ,2024-05-14
[2]
半导体场效应管 [P]. 
李百奎 .
中国专利 :CN113471281A ,2021-10-01
[3]
半导体场效应管 [P]. 
李百奎 .
中国专利 :CN113471282A ,2021-10-01
[4]
半导体场效应管 [P]. 
李百奎 .
中国专利 :CN113471282B ,2024-02-06
[5]
场效应管的制备方法和场效应管 [P]. 
郑小平 ;
叶振强 ;
白胜闯 ;
邓晓娇 ;
李佳 ;
李志杰 ;
苏云鹏 .
中国专利 :CN110071044A ,2019-07-30
[6]
半导体场效应管器件 [P]. 
潘仁杰 ;
田柏冠 ;
郑轩志 .
中国专利 :CN223297938U ,2025-09-02
[7]
鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN111384173A ,2020-07-07
[8]
场效应管的制造方法和场效应管 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN104867973A ,2015-08-26
[9]
超结场效应管及超结场效应管的制造方法 [P]. 
吴多武 ;
许正一 ;
马清杰 .
中国专利 :CN108565289A ,2018-09-21
[10]
场效应管的制造方法和场效应管 [P]. 
赵圣哲 .
中国专利 :CN105336778A ,2016-02-17