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场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910245569.7
申请日
:
2019-03-28
公开(公告)号
:
CN111755336A
公开(公告)日
:
2020-10-09
发明(设计)人
:
周飞
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L2906
H01L2978
代理机构
:
上海德禾翰通律师事务所 31319
代理人
:
侯莉
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-10-09
公开
公开
2020-10-30
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20190328
共 50 条
[1]
场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
周飞
.
中国专利
:CN111755336B
,2024-05-14
[2]
半导体场效应管
[P].
李百奎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李百奎
.
中国专利
:CN113471281A
,2021-10-01
[3]
半导体场效应管
[P].
李百奎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李百奎
.
中国专利
:CN113471282A
,2021-10-01
[4]
半导体场效应管
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
李百奎
.
中国专利
:CN113471282B
,2024-02-06
[5]
场效应管的制备方法和场效应管
[P].
郑小平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑小平
;
叶振强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
叶振强
;
白胜闯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
白胜闯
;
邓晓娇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
邓晓娇
;
李佳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李佳
;
李志杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李志杰
;
苏云鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
苏云鹏
.
中国专利
:CN110071044A
,2019-07-30
[6]
半导体场效应管器件
[P].
潘仁杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海一本芯半导体科技有限公司
上海一本芯半导体科技有限公司
潘仁杰
;
田柏冠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海一本芯半导体科技有限公司
上海一本芯半导体科技有限公司
田柏冠
;
郑轩志
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海一本芯半导体科技有限公司
上海一本芯半导体科技有限公司
郑轩志
.
中国专利
:CN223297938U
,2025-09-02
[7]
鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底
[P].
王楠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王楠
.
中国专利
:CN111384173A
,2020-07-07
[8]
场效应管的制造方法和场效应管
[P].
马万里
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马万里
.
中国专利
:CN104867973A
,2015-08-26
[9]
超结场效应管及超结场效应管的制造方法
[P].
吴多武
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴多武
;
许正一
论文数:
0
引用数:
0
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0
许正一
;
马清杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马清杰
.
中国专利
:CN108565289A
,2018-09-21
[10]
场效应管的制造方法和场效应管
[P].
赵圣哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵圣哲
.
中国专利
:CN105336778A
,2016-02-17
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