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防静电的半导体场效应管结构
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202421240882.4
申请日：
2024-06-03
公开(公告)号：
CN222546359U
公开(公告)日：
2025-02-28
发明(设计)人：
周锦旗
张含清
申请人：
深圳市华朔半导体有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市龙华区民治街道白石龙社区新龙大厦2009
IPC主分类号：
H01L23/60
IPC分类号：
H01L23/32
H01L23/367
代理机构：
北京萤火虫知识产权代理事务所(普通合伙) 16158
代理人：
罗巍
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-28 | 授权 | 授权 |