一种防静电金属氧化物半导体场效应管

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202023165762.7
申请日
2020-12-23
公开(公告)号
CN213635957U
公开(公告)日
2021-07-06
发明(设计)人
谭丛辉 王言豪
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路与洪浪北二路交汇处中粮创智厂区3栋703
IPC主分类号
H01L2316
IPC分类号
H01L2360 H01L2978
代理机构
深圳市中科创为专利代理有限公司 44384
代理人
袁曼曼;梁炎芳
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
防静电金属氧化物半导体场效应管结构 [P]. 
孙俊 .
中国专利 :CN110277384B ,2019-09-24
[2]
一种金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
倪侠 ;
王全 ;
邹有彪 ;
张荣 ;
徐玉豹 .
中国专利 :CN114784001A ,2022-07-22
[3]
一种金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
倪侠 ;
王全 ;
邹有彪 ;
张荣 ;
徐玉豹 .
中国专利 :CN114784001B ,2025-07-18
[4]
金属氧化物半导体场效应管参数测试盒 [P]. 
鲁世轩 .
中国专利 :CN202256597U ,2012-05-30
[5]
沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN103730500A ,2014-04-16
[6]
沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN110534574A ,2019-12-03
[7]
沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN103730499A ,2014-04-16
[8]
沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN110620152A ,2019-12-27
[9]
沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN103515439A ,2014-01-15
[10]
沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN110534574B ,2024-05-17