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一种金属氧化物半导体场效应管

被引：0
申请号：
CN202210531279.0
申请日：
2022-05-16
公开(公告)号：
CN114784001A
公开(公告)日：
2022-07-22
发明(设计)人：
倪侠 王全 邹有彪 张荣 徐玉豹
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市高新区柏堰科技园香蒲路503号
IPC主分类号：
H01L27088
IPC分类号：
代理机构：
北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙) 11947
代理人：
胡红涛
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-30 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20220516
2022-07-22 公开 公开
共 50 条
[1]
一种金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
倪侠 ;
王全 ;
邹有彪 ;
张荣 ;
徐玉豹 .
中国专利 :CN114784001B ,2025-07-18
[2]
沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN103730500A ,2014-04-16
[3]
沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN110534574A ,2019-12-03
[4]
沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN103730499A ,2014-04-16
[5]
沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN110620152A ,2019-12-27
[6]
沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN103515439A ,2014-01-15
[7]
沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN110534574B ,2024-05-17
[8]
一种沟槽金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN104078507A ,2014-10-01
[9]
一种金属氧化物半导体场效应管结构 [P]. 
陈禹志 ;
郑泽东 ;
李驰 ;
巫以凡 .
中国专利 :CN222721859U ,2025-04-04
[10]
一种沟槽金属氧化物半导体场效应管 [P]. 
谢福渊 .
中国专利 :CN102222618B ,2011-10-19
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