一种电阻法生长碳化硅晶体用装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811419785.0

申请日：

2018-11-26

公开(公告)号：

CN109371461A

公开(公告)日：

2019-02-22

发明(设计)人：

张岩付吉国董伟赵然周卫东曾蕾

申请人：

申请人地址：

100089 北京市海淀区长春桥路11号3号楼801

IPC主分类号：

C30B1700

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-13	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 17/00 申请公布日:20190222
2020-01-03	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 17/00 登记生效日:20191216 变更事项:申请人变更前权利人:国宏中晶集团有限公司变更后权利人:国宏中宇科技发展有限公司变更事项:地址变更前权利人:100089 北京市海淀区长春桥路11号3号楼801 变更后权利人:100089 北京市海淀区长春桥路11号3号楼1204
2019-02-22	公开	公开
2019-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 17/00 申请日:20181126

共 50 条

[1]

一种碳化硅晶体电阻法退火用温控系统及方法 [P].

张岩 ;

付吉国 ;

董伟 ;

赵然 ;

周卫东 ;

曾蕾 .

中国专利 :CN109554761A ,2019-04-02

[2]

一种泡生法生长蓝宝石晶体装置及方法 [P].

张岩 ;

付吉国 ;

董伟 ;

赵然 ;

周卫东 ;

曾蕾 .

中国专利 :CN109306520A ,2019-02-05

[3]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

林育仪 ;

廖建成 ;

陈增强 ;

余明轩 .

中国专利 :CN116695238B ,2024-03-22

[4]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

刘曦 .

中国专利 :CN116815320B ,2024-01-12

[5]

一种碳化硅电阻法生长晶体的退火装置及方法 [P].

张岩 ;

赵然 ;

董伟 ;

付吉国 ;

周卫东 ;

曾蕾 .

中国专利 :CN109825882A ,2019-05-31

[6]

一种碳化硅电阻法生长晶体的温场模拟系统 [P].

张岩 ;

赵然 ;

董伟 ;

付吉国 ;

周卫东 ;

曾蕾 .

中国专利 :CN109913949A ,2019-06-21

[7]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120401012A ,2025-08-01

[8]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120465104A ,2025-08-12

[9]

液相法生长碳化硅晶体的装置及方法 [P].

巴音图 .

中国专利 :CN117051471B ,2024-03-22

[10]

碳化硅晶体生长用石墨组件及碳化硅晶体生长装置 [P].

钱昊 ;

梁刚强 ;

苏奕霖 ;

李强 ;

杨倩倩 .

中国专利 :CN220433065U ,2024-02-02

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