用于半导体器件的外延膜生长方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN96121634.4
申请日
1996-10-30
公开(公告)号
CN1157477A
公开(公告)日
1997-08-20
发明(设计)人
青山亨
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L21205
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
萧掬昌;王忠忠
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
外延基座、外延设备以及半导体器件外延生长方法 [P]. 
王华杰 ;
曹共柏 ;
王佳 ;
郑华浩 ;
林明献 ;
李炜 .
中国专利 :CN118448334A ,2024-08-06
[2]
本征外延生长方法、半导体结构和半导体器件 [P]. 
陆爱军 .
中国专利 :CN119811985A ,2025-04-11
[3]
衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法 [P]. 
赵旭熠 ;
尚金铭 ;
王玮竹 .
中国专利 :CN118756329B ,2025-07-22
[4]
衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法 [P]. 
赵旭熠 ;
尚金铭 ;
王玮竹 .
中国专利 :CN118756329A ,2024-10-11
[5]
用于制造半导体器件的方法以及外延生长装置 [P]. 
柴田巧 ;
山内庄一 ;
山冈智则 ;
野上彰二 .
中国专利 :CN100565803C ,2007-04-18
[6]
用于制造半导体器件的方法以及外延生长装置 [P]. 
柴田巧 ;
山内庄一 ;
山冈智则 ;
野上彰二 .
中国专利 :CN101345196A ,2009-01-14
[7]
硅的外延生长方法、半导体器件及其形成方法 [P]. 
黄康 ;
徐灵芝 ;
张志刚 .
中国专利 :CN109192654A ,2019-01-11
[8]
利用有选择的外延生长方法的半导体器件制造方法 [P]. 
狮子口清一 ;
安永友子 .
中国专利 :CN1218283A ,1999-06-02
[9]
外延生长基板与半导体装置、外延生长方法 [P]. 
生田哲也 ;
日野大辅 ;
柴田智彦 .
中国专利 :CN102959682A ,2013-03-06
[10]
半导体外延结构和半导体外延生长方法 [P]. 
张海林 ;
陈龙 ;
刘庆波 ;
黎子兰 .
中国专利 :CN120187055A ,2025-06-20