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用于半导体器件的外延膜生长方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN96121634.4
申请日
:
1996-10-30
公开(公告)号
:
CN1157477A
公开(公告)日
:
1997-08-20
发明(设计)人
:
青山亨
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
H01L21205
IPC分类号
:
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
:
萧掬昌;王忠忠
法律状态
:
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2003-09-17
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
1997-07-30
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
1997-08-20
公开
公开
共 50 条
[1]
外延基座、外延设备以及半导体器件外延生长方法
[P].
王华杰
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
上海新昇半导体科技有限公司
上海新昇半导体科技有限公司
王华杰
;
曹共柏
论文数:
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0
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机构:
上海新昇半导体科技有限公司
上海新昇半导体科技有限公司
曹共柏
;
王佳
论文数:
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0
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机构:
上海新昇半导体科技有限公司
上海新昇半导体科技有限公司
王佳
;
郑华浩
论文数:
0
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0
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机构:
上海新昇半导体科技有限公司
上海新昇半导体科技有限公司
郑华浩
;
林明献
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海新昇半导体科技有限公司
上海新昇半导体科技有限公司
林明献
;
李炜
论文数:
0
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0
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机构:
上海新昇半导体科技有限公司
上海新昇半导体科技有限公司
李炜
.
中国专利
:CN118448334A
,2024-08-06
[2]
本征外延生长方法、半导体结构和半导体器件
[P].
陆爱军
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
陆爱军
.
中国专利
:CN119811985A
,2025-04-11
[3]
衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法
[P].
赵旭熠
论文数:
0
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0
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机构:
上海新微半导体有限公司
上海新微半导体有限公司
赵旭熠
;
尚金铭
论文数:
0
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机构:
上海新微半导体有限公司
上海新微半导体有限公司
尚金铭
;
王玮竹
论文数:
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0
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0
机构:
上海新微半导体有限公司
上海新微半导体有限公司
王玮竹
.
中国专利
:CN118756329B
,2025-07-22
[4]
衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法
[P].
赵旭熠
论文数:
0
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机构:
上海新微半导体有限公司
上海新微半导体有限公司
赵旭熠
;
尚金铭
论文数:
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0
机构:
上海新微半导体有限公司
上海新微半导体有限公司
尚金铭
;
王玮竹
论文数:
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0
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0
机构:
上海新微半导体有限公司
上海新微半导体有限公司
王玮竹
.
中国专利
:CN118756329A
,2024-10-11
[5]
用于制造半导体器件的方法以及外延生长装置
[P].
柴田巧
论文数:
0
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0
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0
柴田巧
;
山内庄一
论文数:
0
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山内庄一
;
山冈智则
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山冈智则
;
野上彰二
论文数:
0
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0
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野上彰二
.
中国专利
:CN100565803C
,2007-04-18
[6]
用于制造半导体器件的方法以及外延生长装置
[P].
柴田巧
论文数:
0
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0
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0
柴田巧
;
山内庄一
论文数:
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0
山内庄一
;
山冈智则
论文数:
0
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山冈智则
;
野上彰二
论文数:
0
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0
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0
野上彰二
.
中国专利
:CN101345196A
,2009-01-14
[7]
硅的外延生长方法、半导体器件及其形成方法
[P].
黄康
论文数:
0
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0
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0
黄康
;
徐灵芝
论文数:
0
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0
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0
徐灵芝
;
张志刚
论文数:
0
引用数:
0
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0
张志刚
.
中国专利
:CN109192654A
,2019-01-11
[8]
利用有选择的外延生长方法的半导体器件制造方法
[P].
狮子口清一
论文数:
0
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0
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0
狮子口清一
;
安永友子
论文数:
0
引用数:
0
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0
安永友子
.
中国专利
:CN1218283A
,1999-06-02
[9]
外延生长基板与半导体装置、外延生长方法
[P].
生田哲也
论文数:
0
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0
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生田哲也
;
日野大辅
论文数:
0
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0
日野大辅
;
柴田智彦
论文数:
0
引用数:
0
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柴田智彦
.
中国专利
:CN102959682A
,2013-03-06
[10]
半导体外延结构和半导体外延生长方法
[P].
张海林
论文数:
0
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0
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机构:
徐州致能半导体有限公司
徐州致能半导体有限公司
张海林
;
陈龙
论文数:
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机构:
徐州致能半导体有限公司
徐州致能半导体有限公司
陈龙
;
刘庆波
论文数:
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机构:
徐州致能半导体有限公司
徐州致能半导体有限公司
刘庆波
;
黎子兰
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0
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机构:
徐州致能半导体有限公司
徐州致能半导体有限公司
黎子兰
.
中国专利
:CN120187055A
,2025-06-20
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