用于制造半导体器件的方法以及外延生长装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610140367.9

申请日：

2006-09-29

公开(公告)号：

CN100565803C

公开(公告)日：

2007-04-18

发明(设计)人：

柴田巧山内庄一山冈智则野上彰二

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王英

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-18	公开	公开
2009-12-23	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社电装变更后权利人:株式会社电装变更事项:地址变更前权利人:日本爱知县变更后权利人:日本爱知县变更事项:共同专利权人变更前权利人:株式会社上睦可变更后权利人:株式会社胜高
2009-12-02	授权	授权
2007-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

用于制造半导体器件的方法以及外延生长装置 [P].

柴田巧 ;

山内庄一 ;

山冈智则 ;

野上彰二 .

中国专利 :CN101345196A ,2009-01-14

[2]

用于半导体器件的外延膜生长方法 [P].

青山亨 .

中国专利 :CN1157477A ,1997-08-20

[3]

外延基座、外延设备以及半导体器件外延生长方法 [P].

王华杰 ;

曹共柏 ;

王佳 ;

郑华浩 ;

林明献 ;

李炜 .

中国专利 :CN118448334A ,2024-08-06

[4]

GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 [P].

中畑成二 ;

元木健作 .

中国专利 :CN101568671A ,2009-10-28

[5]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

袋武人 ;

冲原将生 .

中国专利 :CN1945843A ,2007-04-11

[6]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

寒河江美友 ;

佐佐木文雄 .

中国专利 :CN101145578A ,2008-03-19

[7]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

宇佐美达矢 .

中国专利 :CN108074969A ,2018-05-25

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN102456742A ,2012-05-16

[9]

制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

L·利韦拉 ;

P·科尔帕尼 ;

P·蒙杰罗法雷洛 .

中国专利 :CN108231886B ,2018-06-29

[10]

使用选择性外延生长制造的半导体器件 [P].

约瑟夫·尼尔·梅雷特 ;

伊戈尔·桑金 .

中国专利 :CN102856387A ,2013-01-02

← 1 2 3 4 5 →