共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
利用有选择的外延生长方法的半导体器件制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN98125138.2
申请日：
1998-11-26
公开(公告)号：
CN1218283A
公开(公告)日：
1999-06-02
发明(设计)人：
狮子口清一
安永友子
申请人：
申请人地址：
日本国东京都
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978
代理机构：
中科专利代理有限责任公司
代理人：
朱进桂
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2015-01-14 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101595701343 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL981251382 申请日:19981126 授权公告日:20030430 终止日期:20131126 |
| 2003-04-30 | 授权 | 授权 |
| 1999-06-02 | 公开 | 公开 |
| 1999-04-28 | 实质审查请求的生效 | 实质审查请求的生效 |
| 2010-10-13 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101008984519 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL981251382 变更事项:专利权人 变更前:恩益禧电子股份有限公司 变更后:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前:日本神奈川县 变更后:日本神奈川县 |