半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN03107255.0
申请日
2003-03-19
公开(公告)号
CN1283008C
公开(公告)日
2003-10-01
发明(设计)人
齐藤丈靖 上野清治
申请人
申请人地址
日本神奈川
IPC主分类号
H01L2710
IPC分类号
H01L21822
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
张浩
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
齐藤丈靖 ;
上野清治 .
中国专利 :CN1825595A ,2006-08-30
[2]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
望月博 ;
奥和田久美 ;
金谷宏行 ;
日高修 .
中国专利 :CN1149659C ,1998-05-13
[3]
半导体器件 [P]. 
平田守央 ;
寺井弘治 ;
八田敏也 .
中国专利 :CN1185038A ,1998-06-17
[4]
一种半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P]. 
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井上尚也 ;
小林壮太 .
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[5]
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铃村功 ;
神内纪秀 ;
渡壁创 ;
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小野寺凉 .
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[6]
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[7]
半导体器件和该器件的制造方法 [P]. 
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[8]
半导体器件 [P]. 
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[9]
半导体器件 [P]. 
中柴康隆 .
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[10]
半导体器件 [P]. 
西村润 ;
安武信昭 ;
冈村隆之 .
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