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半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN03107255.0
申请日
:
2003-03-19
公开(公告)号
:
CN1283008C
公开(公告)日
:
2003-10-01
发明(设计)人
:
齐藤丈靖
上野清治
申请人
:
申请人地址
:
日本神奈川
IPC主分类号
:
H01L2710
IPC分类号
:
H01L21822
代理机构
:
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
:
张浩
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2003-10-01
公开
公开
2006-11-01
授权
授权
2009-05-20
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2003-12-17
实质审查的生效
实质审查的生效
共 50 条
[1]
半导体器件
[P].
齐藤丈靖
论文数:
0
引用数:
0
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0
齐藤丈靖
;
上野清治
论文数:
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0
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上野清治
.
中国专利
:CN1825595A
,2006-08-30
[2]
半导体器件的制造方法和半导体器件
[P].
望月博
论文数:
0
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0
望月博
;
奥和田久美
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奥和田久美
;
金谷宏行
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金谷宏行
;
日高修
论文数:
0
引用数:
0
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日高修
.
中国专利
:CN1149659C
,1998-05-13
[3]
半导体器件
[P].
平田守央
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平田守央
;
寺井弘治
论文数:
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寺井弘治
;
八田敏也
论文数:
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八田敏也
.
中国专利
:CN1185038A
,1998-06-17
[4]
一种半导体器件及制造该半导体器件的方法
[P].
林喜宏
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林喜宏
;
井上尚也
论文数:
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井上尚也
;
小林壮太
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小林壮太
.
中国专利
:CN1202728A
,1998-12-23
[5]
半导体器件和半导体器件的制造方法
[P].
铃村功
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铃村功
;
神内纪秀
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神内纪秀
;
渡壁创
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渡壁创
;
花田明纮
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花田明纮
;
小野寺凉
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小野寺凉
.
中国专利
:CN111554692A
,2020-08-18
[6]
半导体器件的制造方法
[P].
深濑匡
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深濑匡
;
小室雅宏
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小室雅宏
.
中国专利
:CN1235374A
,1999-11-17
[7]
半导体器件和该器件的制造方法
[P].
梅林拓
论文数:
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梅林拓
.
中国专利
:CN1401139A
,2003-03-05
[8]
半导体器件
[P].
小野瑞城
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小野瑞城
;
石原贵光
论文数:
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0
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石原贵光
.
中国专利
:CN1591903A
,2005-03-09
[9]
半导体器件
[P].
中柴康隆
论文数:
0
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中柴康隆
.
中国专利
:CN101290935A
,2008-10-22
[10]
半导体器件
[P].
西村润
论文数:
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西村润
;
安武信昭
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安武信昭
;
冈村隆之
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冈村隆之
.
中国专利
:CN104900651A
,2015-09-09
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