一种基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010112023.3

申请日：

2010-02-09

公开(公告)号：

CN101834124B

公开(公告)日：

2010-09-15

发明(设计)人：

彭俊华黄飚黄宇华

申请人：

申请人地址：

528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21336 H01L29786

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

王勇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101012516246 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2010101120233 申请日:20100209
2012-10-31	授权	授权
2014-04-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101581196973 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL2010101120233 申请日:20100209 授权公告日:20121031 终止日期:20130209
2010-09-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于退火工艺的低温多晶硅薄膜材料的制造方法 [P].

彭俊华 ;

黄飚 ;

黄宇华 .

中国专利 :CN101834123A ,2010-09-15

[2]

一种低温多晶硅薄膜材料的制造方法 [P].

彭俊华 ;

黄飚 ;

黄宇华 .

中国专利 :CN101834125B ,2010-09-15

[3]

一种多晶硅薄膜材料的制造方法 [P].

彭俊华 ;

黄飚 ;

黄宇华 .

中国专利 :CN101834122B ,2010-09-15

[4]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

张茂益 .

中国专利 :CN1315156C ,2005-02-16

[5]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

秦明 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN1316770A ,2001-10-10

[6]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

张茂益 .

中国专利 :CN1581427A ,2005-02-16

[7]

制造多晶硅薄膜的方法 [P].

李沅泰 ;

赵汉植 ;

金亨洙 .

中国专利 :CN102414791B ,2012-04-11

[8]

一种多晶硅薄膜材料的制备方法 [P].

郝会颖 ;

何明 .

中国专利 :CN104392908A ,2015-03-04

[9]

一种多晶硅薄膜材料 [P].

彭俊华 ;

黄飚 ;

黄宇华 .

中国专利 :CN101840923A ,2010-09-22

[10]

一种多晶硅薄膜的制造方法 [P].

史亮亮 .

中国专利 :CN102505139A ,2012-06-20

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