一种多晶硅薄膜材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010111984.2

申请日：

2010-02-09

公开(公告)号：

CN101840923A

公开(公告)日：

2010-09-22

发明(设计)人：

彭俊华黄飚黄宇华

申请人：

申请人地址：

528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

王勇

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101365731227 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2010101119842 公开日:20100922
2010-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101014687890 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2010101119842 申请日:20100209
2010-09-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种低温多晶硅薄膜材料 [P].

彭俊华 ;

黄飚 ;

黄宇华 .

中国专利 :CN101834126B ,2010-09-15

[2]

一种多晶硅薄膜材料的制造方法 [P].

彭俊华 ;

黄飚 ;

黄宇华 .

中国专利 :CN101834122B ,2010-09-15

[3]

一种低温多晶硅薄膜材料的制造方法 [P].

彭俊华 ;

黄飚 ;

黄宇华 .

中国专利 :CN101834125B ,2010-09-15

[4]

多晶硅薄膜 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN202058744U ,2011-11-30

[5]

多晶硅薄膜 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN102956678A ,2013-03-06

[6]

一种多晶硅薄膜材料的制备方法 [P].

郝会颖 ;

何明 .

中国专利 :CN104392908A ,2015-03-04

[7]

一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜 [P].

任庆荣 ;

李良坚 ;

刘政 .

中国专利 :CN107017153A ,2017-08-04

[8]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[9]

一种多晶硅薄膜材料及其制备方法 [P].

张猛 ;

王彬 .

中国专利 :CN117612930A ,2024-02-27

[10]

一种基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制造方法 [P].

彭俊华 ;

黄飚 ;

黄宇华 .

中国专利 :CN101834124B ,2010-09-15

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