具有可检查的焊接点的半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410520115.3

申请日：

2014-08-20

公开(公告)号：

CN105405823A

公开(公告)日：

2016-03-16

发明(设计)人：

白志刚庞兴收许南姚晋钟

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L23495 H01L2160

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

欧阳帆

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 23/488 申请公布日:20160316
2016-03-16	公开	公开

共 50 条

[1]

制作具有本地接点的半导体装置的方法 [P].

R·里克特 ;

T·胡伊辛加 ;

J·海因里希 .

中国专利 :CN102623390B ,2012-08-01

[2]

具有重新布设导电接点的半导体装置 [P].

卓恩民 .

中国专利 :CN201259890Y ,2009-06-17

[3]

具有可焊接环接触件的半导体装置 [P].

李相道 ;

玛吉·T·里奥斯 .

中国专利 :CN101405861A ,2009-04-08

[4]

具有信号接点与高电流功率接点的半导体装置 [P].

A·安德里奇 ;

R·希尔 .

中国专利 :CN1491464A ,2004-04-21

[5]

半导体装置的检查装置以及半导体装置的检查方法 [P].

秋山肇 ;

冈田章 .

中国专利 :CN106981436A ,2017-07-25

[6]

半导体装置的检查方法以及半导体装置的检查装置 [P].

久里裕二 ;

小谷和也 ;

佐佐木遥 ;

平塚大祐 ;

松村仁嗣 ;

北泽秀明 ;

安达健二 .

中国专利 :CN104458788A ,2015-03-25

[7]

具有接触检查电路的半导体装置 [P].

谷田进 .

中国专利 :CN1205522A ,1999-01-20

[8]

具有衬底接点的III-N半导体装置 [P].

远田孝之 ;

东雅彦 .

美国专利 :CN120239296A ,2025-07-01

[9]

探针位置检查装置、半导体装置的检查装置及半导体装置的检查方法 [P].

竹迫宪浩 ;

野口贵也 ;

冈田章 .

中国专利 :CN106568992B ,2017-04-19

[10]

半导体检查装置、半导体晶片的检查方法以及半导体装置的制造方法 [P].

中村卓誉 ;

大木博文 ;

木村泰广 ;

香月真一郎 .

日本专利 :CN118817710A ,2024-10-22

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