制作具有本地接点的半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110415066.3

申请日：

2011-12-13

公开(公告)号：

CN102623390B

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

R·里克特 T·胡伊辛加 J·海因里希

申请人：

申请人地址：

英国开曼群岛

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-19	授权	授权
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101329746588 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011104150663 申请日:20111213
2019-12-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20111213 授权公告日:20150819 终止日期:20181213
2012-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置与制作半导体装置的方法 [P].

洪政雄 ;

汪柏澍 .

中国专利 :CN110534420B ,2019-12-03

[2]

半导体装置的制作方法 [P].

陈冠宏 ;

李荣原 ;

陆俊岑 ;

杨崇立 .

中国专利 :CN109273360A ,2019-01-25

[3]

半导体装置的制作方法 [P].

魏俊桓 ;

陈思元 ;

陈柏君 ;

许品宥 ;

陈冠宇 .

中国专利 :CN109585414A ,2019-04-05

[4]

半导体装置的制作方法 [P].

郭泽绵 ;

张硕哲 .

中国专利 :CN104051325A ,2014-09-17

[5]

半导体装置结构的制造方法 [P].

黄士文 ;

朱韵文 ;

柯宏宪 ;

林嘉慧 ;

蔡释严 ;

张世杰 .

中国专利 :CN108122742A ,2018-06-05

[6]

半导体装置及具有该半导体装置的半导体封装结构 [P].

邱基综 .

中国专利 :CN102208385B ,2011-10-05

[7]

具有可检查的焊接点的半导体装置 [P].

白志刚 ;

庞兴收 ;

许南 ;

姚晋钟 .

中国专利 :CN105405823A ,2016-03-16

[8]

半导体装置、半导体装置的控制方法以及半导体装置的制造方法 [P].

月东绫则 .

日本专利 :CN118676192A ,2024-09-20

[9]

半导体装置及制造具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法 [P].

益冈有里 ;

黄焕宗 .

中国专利 :CN101685780A ,2010-03-31

[10]

具有重新布设导电接点的半导体装置 [P].

卓恩民 .

中国专利 :CN201259890Y ,2009-06-17

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