一种屏蔽差分多比特硅通孔结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811140729.3

申请日：

2018-09-28

公开(公告)号：

CN109411433B

公开(公告)日：

2019-03-01

发明(设计)人：

赵文生胡庆豪傅楷王高峰

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L23552 H01L21768 B82Y3000

代理机构：

杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240

代理人：

黄前泽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-01	公开	公开
2019-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20180928
2022-09-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种差分多比特硅通孔结构及其制备方法 [P].

赵文生 ;

胡庆豪 ;

傅楷 ;

王高峰 .

中国专利 :CN109449138B ,2019-03-08

[2]

便于工艺生产且节省芯片面积的差分硅通孔结构及其工艺 [P].

赵文生 ;

胡庆豪 ;

王晶 ;

胡月 ;

王高峰 .

中国专利 :CN111244066A ,2020-06-05

[3]

一种屏蔽差分硅通孔结构及制作方法 [P].

卢启军 ;

朱樟明 ;

丁瑞雪 ;

李跃进 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN105810663B ,2016-07-27

[4]

针对屏蔽差分硅通孔的RL无源均衡器结构及其设计方法 [P].

赵文生 ;

傅楷 ;

徐魁文 ;

董林玺 ;

王高峰 .

中国专利 :CN108988815B ,2018-12-11

[5]

一种硅通孔结构及其制备方法 [P].

蔡坚 ;

李金睿 ;

谭琳 ;

王谦 ;

陈瑜 ;

王水弟 .

中国专利 :CN102938396B ,2013-02-20

[6]

硅通孔互联结构及其制备方法以及硅通孔射频传输结构 [P].

何舒玮 ;

童伟 ;

陈依军 ;

胡柳林 ;

吕继平 ;

王栋 ;

唐仲俊 .

中国专利 :CN107706173A ,2018-02-16

[7]

运用硅通孔的低阻止区差分传输结构及其层间互连结构 [P].

赵文生 ;

傅楷 ;

徐魁文 ;

董林玺 ;

王高峰 .

中国专利 :CN108538811A ,2018-09-14

[8]

针对屏蔽差分硅通孔的RC无源均衡器结构及其设计方法 [P].

赵文生 ;

傅楷 ;

胡月 ;

王高峰 .

中国专利 :CN108964627B ,2018-12-07

[9]

差分硅通孔阵列中的噪声抑制方法及其差分信号传输结构 [P].

赵文生 ;

泮金炜 ;

王高峰 .

中国专利 :CN108565256A ,2018-09-21

[10]

一种基于硅通孔结构的金属填充方法及硅通孔结构 [P].

云世昌 ;

焦斌斌 ;

王桂磊 ;

孔延梅 ;

张乐民 ;

俞利民 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN105679703A ,2016-06-15

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