运用硅通孔的低阻止区差分传输结构及其层间互连结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810229880.8

申请日：

2018-03-20

公开(公告)号：

CN108538811A

公开(公告)日：

2018-09-14

发明(设计)人：

赵文生傅楷徐魁文董林玺王高峰

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

H01L23528

IPC分类号：

H01L23532 H01L23552 H01L21768

代理机构：

杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240

代理人：

黄前泽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-14	公开	公开
2018-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/528 申请日:20180320
2021-03-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 23/528 申请公布日:20180914

共 23 条

[1]

差分硅通孔阵列中的噪声抑制方法及其差分信号传输结构 [P].

赵文生 ;

泮金炜 ;

王高峰 .

中国专利 :CN108565256A ,2018-09-21

[2]

利用钝化后互连结构形成的硅通孔 [P].

曾明鸿 ;

黃招胜 .

中国专利 :CN101814477B ,2010-08-25

[3]

一种屏蔽差分多比特硅通孔结构及其制备方法 [P].

赵文生 ;

胡庆豪 ;

傅楷 ;

王高峰 .

中国专利 :CN109411433B ,2019-03-01

[4]

便于工艺生产且节省芯片面积的差分硅通孔结构及其工艺 [P].

赵文生 ;

胡庆豪 ;

王晶 ;

胡月 ;

王高峰 .

中国专利 :CN111244066A ,2020-06-05

[5]

包含通孔互连结构的集成电路结构及其形成方法 [P].

张宏光 ;

卡尔·J·拉登斯 ;

L·A·克莱文杰 .

中国专利 :CN108573955B ,2018-09-25

[6]

一种差分多比特硅通孔结构及其制备方法 [P].

赵文生 ;

胡庆豪 ;

傅楷 ;

王高峰 .

中国专利 :CN109449138B ,2019-03-08

[7]

一种基于硅通孔的射频垂直互连传输结构 [P].

王韬 ;

费井汉 ;

张万里 .

中国专利 :CN113097183A ,2021-07-09

[8]

一种基于硅通孔的射频垂直互连传输结构 [P].

王韬 ;

费井汉 ;

张万里 .

中国专利 :CN113097183B ,2024-02-09

[9]

硅通孔互联结构及其制备方法以及硅通孔射频传输结构 [P].

何舒玮 ;

童伟 ;

陈依军 ;

胡柳林 ;

吕继平 ;

王栋 ;

唐仲俊 .

中国专利 :CN107706173A ,2018-02-16

[10]

针对屏蔽差分硅通孔的RC无源均衡器结构及其设计方法 [P].

赵文生 ;

傅楷 ;

胡月 ;

王高峰 .

中国专利 :CN108964627B ,2018-12-07