具有碳纳米管基填料的集成电路芯片配置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580045673.8

申请日：

2005-11-04

公开(公告)号：

CN100521126C

公开(公告)日：

2007-12-26

发明(设计)人：

克里斯·怀兰德亨德里克斯·约翰尼斯·乔卡巴斯·托仑

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

H01L2329

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈瑞丰

法律状态：

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-21	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:NXP股份有限公司变更后权利人:台湾积体电路制造股份有限公司变更事项:地址变更前:荷兰艾恩德霍芬变更后:中国台湾新竹科学工业园区新竹市登记生效日:20090911
2008-02-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-12-26	公开	公开
2009-07-29	授权	授权
2008-06-25	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:皇家飞利浦电子股份有限公司变更后权利人:NXP股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:荷兰艾恩德霍芬登记生效日:20080523

共 50 条

[1]

利用碳纳米管复合互连通路的集成电路芯片 [P].

古川俊治 ;

马克·C·哈基 ;

戴维·V·霍雷克 ;

查尔斯·W·科伯格三世 ;

马克·E·马斯特斯 ;

彼得·米切尔 ;

斯坦尼斯拉夫·波朗斯基 .

中国专利 :CN1926680B ,2007-03-07

[2]

集成电路纳米管基衬底 [P].

克里斯·怀兰德 .

中国专利 :CN101095226A ,2007-12-26

[3]

用于集成电路器件的碳纳米管基传导连接 [P].

克里斯·怀兰德 .

中国专利 :CN101095230A ,2007-12-26

[4]

抗辐照碳纳米管晶体管及集成电路系统 [P].

朱马光 ;

肖洪山 ;

张志勇 ;

赵建文 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN212303703U ,2021-01-05

[5]

碳纳米管射频器件、制造方法及集成电路系统 [P].

石惠文 ;

仲东来 ;

张志勇 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN113782674A ,2021-12-10

[6]

碳纳米管射频器件、制造方法及集成电路系统 [P].

石惠文 ;

仲东来 ;

张志勇 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN113782674B ,2024-02-27

[7]

抗辐照碳纳米管晶体管、制造方法以及集成电路系统 [P].

朱马光 ;

肖洪山 ;

张志勇 ;

赵建文 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN113764587A ,2021-12-07

[8]

抗辐照碳纳米管晶体管、制造方法以及集成电路系统 [P].

朱马光 ;

肖洪山 ;

张志勇 ;

赵建文 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN113764587B ,2025-02-14

[9]

处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管器件 [P].

梶浦尚志 ;

李勇明 ;

李祥龙 ;

刘云圻 ;

曹灵超 ;

付磊 ;

魏大程 ;

王钰 ;

朱道本 .

中国专利 :CN101462713A ,2009-06-24

[10]

处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件 [P].

梶浦尚志 ;

李勇明 ;

付磊 ;

刘云圻 ;

李祥龙 ;

曹灵超 ;

魏大程 ;

王钰 ;

于贵 .

中国专利 :CN101450798A ,2009-06-10

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