利用碳纳米管复合互连通路的集成电路芯片

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200580006332.X
申请日
2005-02-23
公开(公告)号
CN1926680B
公开(公告)日
2007-03-07
发明(设计)人
古川俊治 马克·C·哈基 戴维·V·霍雷克 查尔斯·W·科伯格三世 马克·E·马斯特斯 彼得·米切尔 斯坦尼斯拉夫·波朗斯基
申请人
申请人地址
美国纽约阿芒克
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
张波
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
具有碳纳米管基填料的集成电路芯片配置 [P]. 
克里斯·怀兰德 ;
亨德里克斯·约翰尼斯·乔卡巴斯·托仑 .
中国专利 :CN100521126C ,2007-12-26
[2]
用于集成电路器件的碳纳米管基传导连接 [P]. 
克里斯·怀兰德 .
中国专利 :CN101095230A ,2007-12-26
[3]
集成电路纳米管基衬底 [P]. 
克里斯·怀兰德 .
中国专利 :CN101095226A ,2007-12-26
[4]
碳纳米管复合结构 [P]. 
刘锴 ;
姜开利 ;
孙颖慧 ;
范守善 .
中国专利 :CN101898758B ,2010-12-01
[5]
碳纳米管复合结构 [P]. 
刘锴 ;
周睿风 ;
孙颖慧 ;
姜开利 ;
范守善 .
中国专利 :CN102040212A ,2011-05-04
[6]
碳纳米管复合结构 [P]. 
姜开利 ;
范守善 .
中国专利 :CN103086351B ,2013-05-08
[7]
碳纳米管复合结构 [P]. 
刘锴 ;
孙颖慧 ;
姜开利 ;
范守善 .
中国专利 :CN101880036A ,2010-11-10
[8]
用于集成电路芯片的多级互连 [P]. 
D·R·格林伯格 ;
J·J·皮卡里克 ;
J·朔尔温 .
中国专利 :CN101501857B ,2009-08-05
[9]
碳纳米管互连接触 [P]. 
F·格斯特赖因 ;
A·拉瓦 ;
V·杜宾 .
中国专利 :CN101208793A ,2008-06-25
[10]
抗辐照碳纳米管晶体管及集成电路系统 [P]. 
朱马光 ;
肖洪山 ;
张志勇 ;
赵建文 ;
彭练矛 .
中国专利 :CN212303703U ,2021-01-05