用于选择性地抛光基材的湿法铈土组合物、以及与其相关的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480067699.1

申请日：

2014-09-30

公开(公告)号：

CN105829487B

公开(公告)日：

2016-08-03

发明(设计)人：

B.赖斯

申请人：

申请人地址：

美国伊利诺伊州

IPC主分类号：

C09K314

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

宋莉;邢岳

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-31	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C09K 3/14 变更事项:专利权人变更前:嘉柏微电子材料股份公司变更后:CMC材料股份有限公司变更事项:地址变更前:美国伊利诺伊州变更后:美国伊利诺伊州
2016-08-03	公开	公开
2018-04-17	授权	授权
2016-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101676760456 IPC(主分类):C09K 3/14 专利申请号:2014800676991 申请日:20140930

共 50 条

[1]

用于抛光基材的湿法铈土组合物、及其相关方法 [P].

B.赖斯 ;

J.戴萨德 ;

S.谢卡尔 .

中国专利 :CN105829488A ,2016-08-03

[2]

用于抛光含硅基材的方法和组合物 [P].

弗朗西斯科.德雷吉塞索罗 ;

陈湛 .

中国专利 :CN102149783A ,2011-08-10

[3]

用于抛光铝半导体基材的组合物及方法 [P].

崔骥 ;

S.格拉宾 ;

G.怀特纳 ;

林致安 .

中国专利 :CN103946958B ,2014-07-23

[4]

包含铈土研磨剂的抛光组合物 [P].

B.赖斯 ;

D.索特范内斯 ;

林越 ;

A.海恩斯 ;

S.克拉夫特 ;

贾仁合 .

中国专利 :CN107427988A ,2017-12-01

[5]

具有可调介电抛光选择性的浆料组合物及抛光基材的方法 [P].

刘振东 ;

郭毅 ;

K-A·K·雷迪 ;

张广云 .

中国专利 :CN102559063A ,2012-07-11

[6]

用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法 [P].

W.沃德 .

中国专利 :CN104471015A ,2015-03-25

[7]

用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法 [P].

W.沃德 .

中国专利 :CN108822737B ,2018-11-16

[8]

用于选择性抛光氮化硅材料的组合物及方法 [P].

W.沃德 .

中国专利 :CN103492519B ,2014-01-01

[9]

具有低的固体物含量的化学机械抛光组合物及与其相关的方法 [P].

L.傅 ;

S.格鲁姆宾 .

中国专利 :CN105209567B ,2015-12-30

[10]

浆料组合物以及基材抛光方法 [P].

北村启 ;

增田刚 ;

松村义之 .

中国专利 :CN105308129B ,2016-02-03

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