一种低功耗亚阈值型CMOS带隙基准电压电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510319276.0

申请日：

2015-06-11

公开(公告)号：

CN104950971B

公开(公告)日：

2015-09-30

发明(设计)人：

李建成邢小明李聪郑礼辉蔡磊杨黎

申请人：

申请人地址：

410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号

IPC主分类号：

G05F156

IPC分类号：

代理机构：

北京中济纬天专利代理有限公司 11429

代理人：

胡伟华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-24	授权	授权
2015-09-30	公开	公开
2015-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101631738079 IPC(主分类):G05F 1/56 专利申请号:2015103192760 申请日:20150611

共 50 条

[1]

一种低功耗亚阈值基准电压源 [P].

谢海情 ;

王昌志 ;

赵欣领 ;

梁文萱 ;

何奕成 ;

苏嘉豪 ;

易石基 .

中国专利 :CN118331379A ,2024-07-12

[2]

一种极低功耗、宽温度范围亚阈值基准电压源 [P].

李冬梅 ;

苑朋朋 ;

刘力源 ;

王鑫 .

中国专利 :CN102279610B ,2011-12-14

[3]

一种CMOS亚阈值基准电压源 [P].

周泽坤 ;

袁*东 ;

石跃 ;

李响 ;

石旺 ;

张波 .

中国专利 :CN108205353B ,2018-06-26

[4]

一种低功耗低温漂CMOS亚阈值基准电路 [P].

周泽坤 ;

汪尧 ;

曹建文 ;

余洪名 ;

王韵坤 ;

王安琪 ;

王卓 ;

张波 .

中国专利 :CN106527572B ,2017-03-22

[5]

一种低功耗低温漂CMOS亚阈值基准电路 [P].

周泽坤 ;

汪尧 ;

王韵坤 ;

马亚东 ;

石跃 ;

王卓 ;

张波 .

中国专利 :CN107272819B ,2017-10-20

[6]

一种低功耗亚阈值基准电压源结构 [P].

王昌志 .

中国专利 :CN221351990U ,2024-07-16

[7]

一种超低功耗全CMOS亚阈工作的带隙基准电压电路 [P].

刘锡锋 ;

孙萍 ;

胡佳莉 .

中国专利 :CN208459892U ,2019-02-01

[8]

一种超低功耗全CMOS亚阈工作的带隙基准电压电路 [P].

刘锡锋 ;

孙萍 ;

胡佳莉 .

中国专利 :CN108594924A ,2018-09-28

[9]

一种全CMOS结构的低功耗亚阈值带隙基准电路 [P].

李威 ;

孙祥鑫 ;

邹瑞雨 .

中国专利 :CN117348674A ,2024-01-05

[10]

一种低功耗带隙基准电压产生电路 [P].

莫昌文 ;

周正 ;

田基业 .

中国专利 :CN111158420A ,2020-05-15

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