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一种全CMOS结构的低功耗亚阈值带隙基准电路
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311264211.1
申请日
:
2023-09-26
公开(公告)号
:
CN117348674A
公开(公告)日
:
2024-01-05
发明(设计)人
:
李威
孙祥鑫
邹瑞雨
申请人
:
电子科技大学
申请人地址
:
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
IPC主分类号
:
G05F1/567
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
公开
国省代码
:
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-01-05
公开
公开
共 50 条
[1]
一种低功耗的带隙基准电路
[P].
何越峰
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何越峰
;
袁国顺
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袁国顺
.
中国专利
:CN113703510B
,2021-11-26
[2]
一种低功耗低温漂CMOS亚阈值基准电路
[P].
周泽坤
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周泽坤
;
汪尧
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汪尧
;
王韵坤
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王韵坤
;
马亚东
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马亚东
;
石跃
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石跃
;
王卓
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王卓
;
张波
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张波
.
中国专利
:CN107390757B
,2017-11-24
[3]
一种低功耗亚阈值型CMOS带隙基准电压电路
[P].
李建成
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李建成
;
邢小明
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邢小明
;
李聪
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李聪
;
郑礼辉
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郑礼辉
;
蔡磊
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蔡磊
;
杨黎
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杨黎
.
中国专利
:CN104950971B
,2015-09-30
[4]
一种超低功耗全CMOS亚阈工作的带隙基准电压电路
[P].
刘锡锋
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刘锡锋
;
孙萍
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孙萍
;
胡佳莉
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胡佳莉
.
中国专利
:CN208459892U
,2019-02-01
[5]
一种超低功耗全CMOS亚阈工作的带隙基准电压电路
[P].
刘锡锋
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刘锡锋
;
孙萍
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孙萍
;
胡佳莉
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胡佳莉
.
中国专利
:CN108594924A
,2018-09-28
[6]
一种低压低功耗的带隙基准电路
[P].
邓龙利
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邓龙利
;
刘铭
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刘铭
.
中国专利
:CN104977972A
,2015-10-14
[7]
一种低压低功耗的带隙基准电路
[P].
邓龙利
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邓龙利
;
刘铭
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刘铭
.
中国专利
:CN204808101U
,2015-11-25
[8]
一种低压低功耗的带隙基准电路
[P].
邓龙利
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邓龙利
;
刘铭
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刘铭
.
中国专利
:CN104977973A
,2015-10-14
[9]
一种低压低功耗的带隙基准电路
[P].
邓龙利
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邓龙利
;
刘铭
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刘铭
.
中国专利
:CN204808098U
,2015-11-25
[10]
一种低功耗低温漂CMOS亚阈值基准电路
[P].
周泽坤
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周泽坤
;
汪尧
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汪尧
;
王韵坤
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王韵坤
;
马亚东
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马亚东
;
石跃
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石跃
;
王卓
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王卓
;
张波
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张波
.
中国专利
:CN107272819B
,2017-10-20
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