一种全CMOS结构的低功耗亚阈值带隙基准电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311264211.1
申请日
2023-09-26
公开(公告)号
CN117348674A
公开(公告)日
2024-01-05
发明(设计)人
李威 孙祥鑫 邹瑞雨
申请人
电子科技大学
申请人地址
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
IPC主分类号
G05F1/567
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
江苏省 常州市
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共 50 条
[1]
一种低功耗的带隙基准电路 [P]. 
何越峰 ;
袁国顺 .
中国专利 :CN113703510B ,2021-11-26
[2]
一种低功耗低温漂CMOS亚阈值基准电路 [P]. 
周泽坤 ;
汪尧 ;
王韵坤 ;
马亚东 ;
石跃 ;
王卓 ;
张波 .
中国专利 :CN107390757B ,2017-11-24
[3]
一种低功耗亚阈值型CMOS带隙基准电压电路 [P]. 
李建成 ;
邢小明 ;
李聪 ;
郑礼辉 ;
蔡磊 ;
杨黎 .
中国专利 :CN104950971B ,2015-09-30
[4]
一种超低功耗全CMOS亚阈工作的带隙基准电压电路 [P]. 
刘锡锋 ;
孙萍 ;
胡佳莉 .
中国专利 :CN208459892U ,2019-02-01
[5]
一种超低功耗全CMOS亚阈工作的带隙基准电压电路 [P]. 
刘锡锋 ;
孙萍 ;
胡佳莉 .
中国专利 :CN108594924A ,2018-09-28
[6]
一种低压低功耗的带隙基准电路 [P]. 
邓龙利 ;
刘铭 .
中国专利 :CN104977972A ,2015-10-14
[7]
一种低压低功耗的带隙基准电路 [P]. 
邓龙利 ;
刘铭 .
中国专利 :CN204808101U ,2015-11-25
[8]
一种低压低功耗的带隙基准电路 [P]. 
邓龙利 ;
刘铭 .
中国专利 :CN104977973A ,2015-10-14
[9]
一种低压低功耗的带隙基准电路 [P]. 
邓龙利 ;
刘铭 .
中国专利 :CN204808098U ,2015-11-25
[10]
一种低功耗低温漂CMOS亚阈值基准电路 [P]. 
周泽坤 ;
汪尧 ;
王韵坤 ;
马亚东 ;
石跃 ;
王卓 ;
张波 .
中国专利 :CN107272819B ,2017-10-20