一种超低功耗全CMOS亚阈工作的带隙基准电压电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810630226.8

申请日：

2018-06-19

公开(公告)号：

CN108594924A

公开(公告)日：

2018-09-28

发明(设计)人：

刘锡锋孙萍胡佳莉

申请人：

申请人地址：

214153 江苏省无锡市惠山区钱藕路1号

IPC主分类号：

G05F1567

IPC分类号：

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司 32112

代理人：

刘凤彩

法律状态：

专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):G05F 1/567 合同备案号:X2022980006612 让与人:江苏信息职业技术学院受让人:无锡华润上华科技有限公司发明名称:一种超低功耗全CMOS亚阈工作的带隙基准电压电路申请日:20180619 申请公布日:20180928 许可种类:普通许可备案日期:20220530
2018-09-28	公开	公开
2018-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/567 申请日:20180619

共 50 条

[1]

一种超低功耗全CMOS亚阈工作的带隙基准电压电路 [P].

刘锡锋 ;

孙萍 ;

胡佳莉 .

中国专利 :CN208459892U ,2019-02-01

[2]

一种低功耗亚阈值型CMOS带隙基准电压电路 [P].

李建成 ;

邢小明 ;

李聪 ;

郑礼辉 ;

蔡磊 ;

杨黎 .

中国专利 :CN104950971B ,2015-09-30

[3]

一种全CMOS结构的低功耗亚阈值带隙基准电路 [P].

李威 ;

孙祥鑫 ;

邹瑞雨 .

中国专利 :CN117348674A ,2024-01-05

[4]

一种超低功耗带隙基准电压源电路 [P].

苏杰 ;

李孙华 ;

徐祎喆 ;

朱勇 .

中国专利 :CN112783253B ,2021-05-11

[5]

一种超低功耗CMOS电压基准电路 [P].

邓禹辰 ;

吴建辉 ;

吴志强 ;

谢祖帅 ;

周全才 ;

瞿剑 .

中国专利 :CN111796625A ,2020-10-20

[6]

一种超低功耗带隙基准电路 [P].

熊辉涛 .

中国专利 :CN107479616B ,2017-12-15

[7]

一种低功耗带隙基准电压产生电路 [P].

莫昌文 ;

周正 ;

田基业 .

中国专利 :CN111158420A ,2020-05-15

[8]

一种低功耗带隙基准电压产生电路 [P].

莫昌文 ;

周正 ;

田基业 .

中国专利 :CN111158420B ,2025-01-03

[9]

一种低功耗带隙基准电压产生电路 [P].

莫昌文 ;

周正 ;

田基业 .

中国专利 :CN211741955U ,2020-10-23

[10]

超低功耗全CMOS基准电路系统 [P].

沈怿皓 .

中国专利 :CN107943196A ,2018-04-20

← 1 2 3 4 5 →