用于等离子体辅助蚀刻金属氧化物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110734492.7

申请日：

2021-06-30

公开(公告)号：

CN113764270A

公开(公告)日：

2021-12-07

发明(设计)人：

杨建勋杨建伦张克正

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L2167 H01L21336

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

黄艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体合成金属氧化物纳米颗粒 [P].

张璐 .

中国专利 :CN1607181A ,2005-04-20

[2]

使用清洁等离子体移除金属氧化物的方法 [P].

杨宗翰 ;

岳诗雨 ;

汪荣军 .

美国专利 :CN120153458A ,2025-06-13

[3]

单晶金属氧化物等离子体室部件 [P].

许临 ;

道格拉斯·德特尔特 ;

约翰·多尔蒂 ;

潘卡基·哈扎里卡 ;

萨蒂什·斯里尼瓦桑 ;

纳什·W·安德森 ;

约翰·迈克尔·克恩斯 ;

罗宾·科什伊 ;

大卫·约瑟夫·韦策尔 ;

刘磊 ;

埃里克·A·派普 .

中国专利 :CN114631167A ,2022-06-14

[4]

金属氧化物纳米粒子的等离子体合成 [P].

张璐 .

中国专利 :CN1621352A ,2005-06-01

[5]

等离子蚀刻过渡金属氧化物的方法 [P].

U·瑞格胡里姆 ;

M·W·孔恩伊维基 .

中国专利 :CN101657567A ,2010-02-24

[6]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

后平拓 ;

箕浦佑也 .

中国专利 :CN110164764A ,2019-08-23

[7]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻系统 [P].

齐藤英树 ;

松井久 ;

宇贺神肇 .

中国专利 :CN107731681B ,2018-02-23

[8]

用于锂离子电池的锂过渡金属氧化物的等离子体处理 [P].

R·K·霍尔曼 ;

K·哈迪迪 ;

G·弗罗贝尔 .

中国专利 :CN113423497A ,2021-09-21

[9]

等离子体蚀刻系统 [P].

杨建勋 ;

杨建伦 ;

张克正 ;

喻鹏飞 .

中国专利 :CN114121587A ,2022-03-01

[10]

等离子体蚀刻方法 [P].

松浦豪 .

中国专利 :CN107112232A ,2017-08-29

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