使用清洁等离子体移除金属氧化物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380077147.8

申请日：

2023-11-10

公开(公告)号：

CN120153458A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

杨宗翰岳诗雨汪荣军

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/768

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;吴启超

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20231110
2025-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体合成金属氧化物纳米颗粒 [P].

张璐 .

中国专利 :CN1607181A ,2005-04-20

[2]

用于等离子体辅助蚀刻金属氧化物的方法 [P].

杨建勋 ;

杨建伦 ;

张克正 .

中国专利 :CN113764270A ,2021-12-07

[3]

单晶金属氧化物等离子体室部件 [P].

许临 ;

道格拉斯·德特尔特 ;

约翰·多尔蒂 ;

潘卡基·哈扎里卡 ;

萨蒂什·斯里尼瓦桑 ;

纳什·W·安德森 ;

约翰·迈克尔·克恩斯 ;

罗宾·科什伊 ;

大卫·约瑟夫·韦策尔 ;

刘磊 ;

埃里克·A·派普 .

中国专利 :CN114631167A ,2022-06-14

[4]

金属氧化物纳米粒子的等离子体合成 [P].

张璐 .

中国专利 :CN1621352A ,2005-06-01

[5]

冷等离子体诱导燃烧制备多孔金属氧化物的方法 [P].

郭秋婷 ;

刘媛 ;

赵彬然 ;

周昕瞳 ;

王巍 ;

刘昌俊 .

中国专利 :CN103170293A ,2013-06-26

[6]

透明导电氧化物的等离子体沉积方式 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101246913A ,2008-08-20

[7]

介质阻挡放电等离子体方式制备纳米金属氧化物的方法 [P].

蒯平宇 ;

霍培培 ;

李艳 ;

刘昌俊 .

中国专利 :CN101423197A ,2009-05-06

[8]

金属氧化物纳米粉末的等离子体合成及其装置 [P].

马厄·I·博洛斯 ;

杰齐·W·朱里威茨 ;

克里斯廷·A·A·M·内西姆 .

中国专利 :CN100377993C ,2006-03-08

[9]

金属氧化物的等离子体增强化学气相沉积 [P].

D·P·迪内加 ;

C·M·魏卡特 .

中国专利 :CN1957109A ,2007-05-02

[10]

一种利用等离子体技术增强金属氧化物氧化性的方法 [P].

罗光前 ;

曾晓波 ;

张璧 ;

许洋 ;

邹仁杰 ;

周梦丽 ;

曹良 ;

孙平 ;

姚洪 .

中国专利 :CN107213884A ,2017-09-29

← 1 2 3 4 5 →