透明导电氧化物的等离子体沉积方式

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专利类型
发明
申请号
CN200710004965.8
申请日
2007-02-14
公开(公告)号
CN101246913A
公开(公告)日
2008-08-20
发明(设计)人
李沅民 马昕
申请人
申请人地址
100086北京市海淀区中关村南大街2号数码大厦B-901北京行者多媒体科技有限公司
IPC主分类号
H01L31075
IPC分类号
H01L31042 H01L3118
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
透明导电膜的等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
冯良桓 ;
奚建平 ;
雷智 ;
蔡伟 ;
郑家贵 ;
王钒 .
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[2]
金属氧化物的等离子体增强化学气相沉积 [P]. 
D·P·迪内加 ;
C·M·魏卡特 .
中国专利 :CN1957109A ,2007-05-02
[3]
等离子体合成金属氧化物纳米颗粒 [P]. 
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[4]
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[5]
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高东均 ;
金友镇 ;
金仁教 ;
朴瑾禧 ;
郑石源 .
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[6]
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杨宗翰 ;
岳诗雨 ;
汪荣军 .
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[7]
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[8]
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[9]
透明导电氧化物 [P]. 
弗拉基米尔·L·库兹涅佐夫 ;
彼得·P·爱德华兹 .
中国专利 :CN102576577A ,2012-07-11
[10]
透明导电氧化物 [P]. 
理查德·欧内斯特·德马雷 ;
穆昆丹·纳拉辛汉 .
中国专利 :CN1826423A ,2006-08-30