金属氧化物层形成方法和等离子体增强化学气相沉积装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810921031.9

申请日：

2018-08-14

公开(公告)号：

CN109385617A

公开(公告)日：

2019-02-26

发明(设计)人：

高东均金友镇金仁教朴瑾禧郑石源

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道龙仁市

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C1650 C23C1652

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

尹淑梅;程月

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/40 申请日:20180814
2019-02-26	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物的等离子体增强化学气相沉积 [P].

D·P·迪内加 ;

C·M·魏卡特 .

中国专利 :CN1957109A ,2007-05-02

[2]

等离子体增强化学气相沉积装置 [P].

张佳纯 .

中国专利 :CN107675144A ,2018-02-09

[3]

等离子体增强化学气相沉积装置 [P].

陈金元 ;

刘传生 .

中国专利 :CN101974738A ,2011-02-16

[4]

等离子体增强化学气相沉积装置 [P].

韦刚 .

中国专利 :CN101880867A ,2010-11-10

[5]

等离子体增强化学气相沉积装置 [P].

苏同上 ;

王东方 ;

杜生平 ;

袁广才 .

中国专利 :CN205556778U ,2016-09-07

[6]

等离子体增强化学气相沉积装置 [P].

何艾华 ;

朱太荣 ;

张武 .

中国专利 :CN119876915A ,2025-04-25

[7]

等离子体增强化学气相沉积装置 [P].

何怀亮 .

中国专利 :CN207918951U ,2018-09-28

[8]

等离子体增强化学气相沉积装置 [P].

刘凤举 .

中国专利 :CN106245005A ,2016-12-21

[9]

等离子体增强化学气相沉积装置 [P].

姜宇锡 .

中国专利 :CN213142185U ,2021-05-07

[10]

等离子体增强化学气相沉积装置 [P].

陈金元 ;

马哲国 ;

董家伟 ;

刘传生 ;

杨飞云 .

中国专利 :CN101974739A ,2011-02-16

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